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基于3D XPoint硬盘Optane实物展示，独家对核心技术进行推测
梁俊豪 发布于2016-08-29 14:58 / 关键字： intel, 3D XPoint, Optane, 忆阻器, 非易失性
Intel、美光去年联合发布3D XPoint闪存技术，号称是25年来存储技术的革命性突破，速度是目前NAND闪存的1000倍，耐用性也是目前闪存的1000倍，密度是NAND的10倍，而且它的非易失性不仅可以用于NAND硬盘，还可以用于RAM内存，绝对是划时代的进步。 但是两家厂商对3D XPoint的技术原理三缄其口，仅仅在发布会场合公布其性能数据，甚至原型产品从来没有露过脸。最近Intel还是遮遮掩掩地展示3D XPoint闪存原型硬盘Optane。
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后NAND时代，2013年PCM储存技术上位
bolvar 发布于2012-12-01 09:30 / 关键字： PCM, EMC, NAND, 非易失性
PCM相变存储技术被视为NAND技术的继任者，美光之前还宣称已经大规模量产了45nm工艺的PCM模块，但是这种未来型的技术到底合适才能出现在我们的生活中呢？ Theregister网站援引EMC高级副总、闪存部门主管扎西德·侯赛因的说法称，2013年将是PCM闪存的新起点，有望见到实际产品出现在市场上。
目前的NAND闪存工艺已经向20nm级别过渡，未来15nm或更高的工艺下NAND的发展就会面临瓶颈，速度会变慢，而ECC纠错则会更加复杂。从目前的20nm闪存工艺来看，速度表现还好，但是P/E写入次数已经降低到1500次量级，未来的15nm MLC NAND或许会低于1000，这都是让人头疼的问题。
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PCM相变储存技术
