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基于ReRAM技术的SSD要来了，超快读写速度、超高密度
梁俊豪 发布于2017-09-28 10:40 / 关键字： ReRAM, 忆阻器, 非易失性存储器
现在的SSD虽然可以通过堆叠Die层数来增大单颗粒容量，但随着层数越多，所需要的硅穿孔数目越多，制造难度直线上升，不仅良品率无法保证、生产成本也高，一些拥有深厚技术的存储厂商早就开始探索新一代非易失性存储器了。除了Intel那个未知原理的3D XPoint闪存以外，还有大热的ReRAM，这是一种以电阻值来记录数据的非易失性存储器，具有单位面积容量大、读写速度快特性，而对此研究了好些年的Mobiveil联合Crossbar将会推出基于ReRAM技术的SSD，为存储市场增添新活力。
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基于3D XPoint硬盘Optane实物展示，独家对核心技术进行推测
梁俊豪 发布于2016-08-29 14:58 / 关键字： intel, 3D XPoint, Optane, 忆阻器, 非易失性
Intel、美光去年联合发布3D XPoint闪存技术，号称是25年来存储技术的革命性突破，速度是目前NAND闪存的1000倍，耐用性也是目前闪存的1000倍，密度是NAND的10倍，而且它的非易失性不仅可以用于NAND硬盘，还可以用于RAM内存，绝对是划时代的进步。 但是两家厂商对3D XPoint的技术原理三缄其口，仅仅在发布会场合公布其性能数据，甚至原型产品从来没有露过脸。最近Intel还是遮遮掩掩地展示3D XPoint闪存原型硬盘Optane。
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