Q3季度即将过去，Q4季度的内存合约价也到了关键时期，尽管三星、SK Hynix及美光等三大供应商不乐见内存降价，但是市场趋势还是会降，主要原因是内存供过于求，还有旺季需求并没有明显升温，价格走弱的趋势更加明显，预计Q4季度内存合约价跌幅会从之前预期的1-3%扩大到5%。

DRAMeXchange资深协理吴雅婷指出，DRAM价格在过去九个季度期间大幅上扬，但从今年第三季起价格已经开始走弱，其中PC DRAM与服务器内存价格涨幅缩小至1-2%，而移动内存价格在旺季仅持平开出，显存更率先出现跌价。观察现货市场状况，价格从年初一路下滑，并在今年六月底开始正式低于合约价，而目前的现货价格已经低于合约价格约10%，显示后续合约价格仍将继续下跌。

从伺服务器内存市场来观察，受惠于平台转换与资料中心，服务器需求比往年来的热络，但今年上半年因DRAM供给仍吃紧，导致终端纷纷以超额订单(double booking )的方式维持稳定货源。第三季随着原厂持续提升服务器产品的产出比重，供给达成率已转趋饱和。展望第四季，除了服务器需求出现杂音外，目前由于通路价格持续开低，韩系原厂已率先降低第四季价格标的，预估季跌幅将达5%左右，高于原先预期的2%。与服务器内存产品属性较为相近的PC DRAM同样呈现供过于求，再加上Intel新平台供货不足影响笔电出货状况，导致PC DRAM第四季价格跌幅也上看5%。利基型内存（嵌入式内存）则受到中美贸易战带来的不确定性因素影响，需求已出现下修，价格也从九月开始下跌，第四季的跌幅更可能超过PC DRAM与服务器内存。占整体供货比重最大的移动内存价格同样呈现下滑趋势。展望第四季，虽然在新款iPhone出货的拉升下，需求逐渐增温，但由于新款机种的定价高于市场预期，销售预估转为保守，因此难以反转DRAM供过于求的态势。预估分离式(discrete)行动式记忆体第四季价格跌幅约在3%，eMCP解决方案则因NAND Flash价格下滑更为快速，整体跌幅可能扩大至8%。

集邦科技旗下的DRAMeXchage今天发布了2018年Q1季度移动内存统计报告，由于Q1季度新品发布，智能手机市场已经复苏，一季度移动内存环比增长5.3%，当季度营收84.35亿美元，创造了新的记录。

全球移动内存市场厂商营收表现

Q2季度全球移动内存的价格预计会温和上涨，但是由于中国手机厂商如小米、华为、OPPO、Vivo需求强劲，再加上苹果备货需要，2018年的iPhone手机内存还会继续增加，所以DRAMeXchnage预测Q2季度移动内存价格还会继续上涨，营收再创新高。

具体来看，三星Q1季度的移动内存营收47.66亿美元，市场份额56.5%，营收环比增长了5.2%。技术方面，三星的18nm工艺经过两年发展已经普及到了几乎所有移动DRAM生产线上，只有少量的LPDDR3 eMCP封装产品还在使用20nm工艺。

SK Hynix当季营收21.22亿美元，环比增长2.2%，市场份额25.2%。增长有限主要是因为该公司的18nm工艺产能转移进展不顺，目前仍处于开发初期阶段，LPDDR4、LPDDR3的主力工艺依然是21nm、25nm，预计Q3季度之前18nm工艺的产品都不会显著增长，2018年内18nm工艺移动内存占比不会超过10%。

美光公司当季营收14.08亿美元，环比增长10.2%，份额16.7%，增长速度是三大内存公司中最快的。工艺技术方面，美光台湾（前Rexchip）公司将在Q2季度加大移动内存中的17nm工艺份额，前身为华亚科的美光台湾公司目前主要以20nm工艺生产LPDDR4。美光正在加快转向从LPDDR3到LPDDR4内存的速度，预计2018年内占比可达50%以上。

除了三大厂商之外，内存芯片市场还有南亚科技，当季营收9600万美元，环比增长19.1%，主要是因为南亚LPDDR3 4Gb颗粒的产能增加，许多公司选择这种芯片用于eMCP封装。至于工艺方面，南亚目前主力依然是30nm，正在加快转向20nm工艺。