西数的闪存源自被收购的闪迪，后者是跟东芝共同投资生产NAND闪存的，9月底双方投资的四日市Fab 6工厂启用，总投资5000亿日元，折合约45亿美元，落成后主要生产新一代3D NAND闪存，堆栈层数可达96层。此前东芝、西数也宣布了96层3D NAND闪存的出样，现在西数首发了业界第一款96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321。

西数官方公告中没有提到iNAND MC EU321是TLC闪存还是QLC闪存，考虑到最大容量才256GB以及QLC闪存的进度，iNAND MC EU321使用TLC类型的可能性还是最高的。

iNAND MC EU321容量涵盖32GB、64GB、128GB及256GB，UFS 2.1 HS-G3标准，封装尺寸为11.5x13x1.0mm。性能方面，连续读取可达800MB/s，连续写入550MB/s，随机写入52K IOPS，随机读取50K IOPS，写入性能号称比前代提升10%。

集邦网旗下的DRAMeXchnage日前报道了全球智能手机闪存情况，由于3D NAND闪存产能增加、良率提高，尽管Q2季度智能手机、笔记本电脑的需求比Q1季度有所增长，但是供应商面临较大的库存压力，手机闪存还是会继续降价。

在智能手机所用的eMMC、UFS闪存中，后者跌幅更大，前者Q2合约价降幅0-5%，UFS闪存则跌了5-15%，原因是供应商为了吸引手机厂商增大中高端智能手机的存储容量，将128/256GB UFS闪存的价格做了调整，以推动厂商从64/128GB容量提升到128/256GB。

对于Q3季度的eMMC/UFS闪存价格趋势，DRAMeXchange认为供应虽然还会继续增加，不过Q3季度是手机传统旺季，苹果也会发布新品，在这两个利好下手机闪存的跌幅会收窄到5%以内。

至于Q4季度，价格走势还是待定状态，这要看苹果新机能否受到市场欢迎——从这个角度说，安卓用户应该希望iPhone X二代手机卖不好，这样闪存需求下降了，供应商才有降价的动力。

至于eMMC与UFS闪存的走向，DRAMeXchange表示尽管已经有三星、美光、东芝、SK Hynix等多家供应商，中端处理器也支持UFS规格了，高端手机普遍采用UFS闪存，但是在中高端以及中端手机上UFS依然难以普及，渗透乏力。

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虽然苹果iPhone手机用的TLC闪存主要来自闪迪，不过三星在TLC闪存上走的更远，SSD产品中从840到840 Evo再到850 Evo已经使用了三代TLC闪存，其中850 Evo使用还是最先进的V-NAND TLC闪存。现在手机闪存容量需求越来越大，而且还需要降低成本，TLC闪存也是不可避免的了。

三星这次推出的128GB闪存支持eMMC 5.0标准，但连续速度可达260MB/s，这个性能跟eMMC 5.1标准的MLC闪存是一样的，随机读取为6000 IOPS，随机写入为5000 IOPS，官方表示这个随机性能是普通位置存储卡的10倍多。

高端市场上，三星还会有eMMC 5.1或者UFS 2.0标准的MLC闪存，三星的Galaxy S6/S6 Edge使用的就是UFS 2.0闪存，磁盘性能简直爆表。

PS：虽然大家对TLC闪存很抗拒，不能Duang的一下子就接受，不过手机上用TLC恐怕要比桌面更迅速，考虑到手机闪存的读写操作不如桌面那么频繁，而且手机更新换代更快，TLC闪存的可靠性更不应该是问题了，怕就怕三星把TLC闪存卖得比其他MLC闪存还贵。