据TrendForce报道，近日英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）表示，过去被视为商品化的新型存储架构如今变得具有战略意义，存储行业正处于创新的成熟阶段，也成为了自己重点关注的领域之一，或许大家已经能猜到自己正在思考的事情，但是还没准备好展开。

按照陈立武的说法，他曾经是“不要投资存储行业”的支持者，但是现在情况发生了变化。陈立武并没有透露具体的想法或者英特尔有哪方面的计划，不过认为直接在CPU上叠加内存“非常合理”，两者有很多方法可以堆叠在一起，这可能是英特尔未来新架构所要探索的方向。

虽然现在大家都知道英特尔是一家以开发和生产CPU为主的半导体公司，但是最初成立的时候是以存储器发家的，直到上世纪80年代因日本厂商的冲击导致存储业务亏损严重，从而彻底转向CPU。后来英特尔尝试通过NAND闪存与傲腾重返市场，不过又因战略收缩再次选择退出。

今年初，英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术。上个月英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是ZAM的实际应用，属于HBM4的替代方案，预计2030年前后实现商业化。

虽然LPDDR更高效、容量也更大，但是也存在带宽不足的问题。前一段时间高通提出了HBC架构，将计算与高速内存带宽结合，采用3D堆叠芯片解决方案。相较于HBM，HBC提供了更快、更高效、更具可扩展性的处理。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过尚未进入商业化阶段。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，预计2030年前后实现商业化。

根据英特尔的描述，XBM采用了后段晶体管设计，包括一个封装基板、一个可选的基础芯片、以及一个堆叠的存储芯片。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，后端金属互连层），以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，成本相比HBM4会更低。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，封装尺寸与HBM 4保持一致。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括MoP，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

从目标定位、性能指标和商业化时间表来看，业界猜测XBM与ZAM密切相关。