目前MRAM技术大都是基于ST（Spin-transfer torque，自旋钮转换）技术，Everspin公司的nvNITRO硬盘也不例外，它基于该公司的256Mb DDR3 ST-MRAM芯片打造，目前实现的容量是1GB和2GB，分别使用32颗、64颗ST-MRAM芯片，接口则是PCI-E 3.0 8x，HHHL半高半长规格，支持NVMe标准。

官方通告中没有提及随机读写速度，只给出了4K QD=32随机性能高达150万IOPS，延迟则只有6微秒，这个指标放在高端企业级SSD中也是非常强悍的，Aanandtech网站给出的两个例子就是Intel最强企业级硬盘DC P3700延迟有20微秒，HGST企业级SSD Ultrastar SN260硬盘随机性能也不过120万IOPS。

根据Everspin公司所说，他们预计Q2季度正式推出nvNITRO硬盘，会有U.2、M.2等其他规格的产品，容量也会涵盖512MB到8GB范围。

除此之外，今年晚些时候他们还会推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片，硬盘容量可以达到4-16GB了。

　　按照目前MRAM的发展进程，想要大规模投入使用MRAM，预计还得等到2018年，不过现在已经陆续有厂商推出MRAM产品，例如在本月中旬，美国Everspin技术公司就推出了ST-MRAM芯片，这种芯片存储速度是普通MLC芯片的500倍，已经达到了DRAM芯片的水平。

　　Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固态硬盘，该系列固态硬盘就配置了Everspin的DDR3 ST-MRAM芯片作为固态硬盘高速缓存。这种高速缓存采用WBGA封装设计，单颗容量为64Mb（8MB），最高频率为1600MHz，最高带宽为3.2GB/s，纳秒级延迟，从性能来说已经不输给DRAM芯片，而且由于断电不丢失数据，因此产品无需为缓存电路配置大容量电容或者是高级掉电保护技术。

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　　显然，价格是致命伤，这样的情况下要取代SSD肯定不现实，现时这种存储器也只是属于传统硬盘和固态硬盘以外的补充性存储手段。不过当初SSD出现时价格也是贵得令人咋舌，高达数千美金，而现在已经降到120GB容量售价100美元以下，所以ST-MRAM的50倍价格也有可能在未来得到大幅下降。

　　除了价格，供电也是一个缺点。现时SSD上64GB NAND闪存约需80毫瓦电量，而ST-MRAM每GB需要400毫瓦，绝对是电老虎。在这种技术成为主流之前肯定还有很多地方需要改进，不过能有如此强劲的神物诞生足以令不少人觉得兴奋了。