三星在立体堆栈3D V-NAND闪存的研发与生产商一直处于领先位置，其第一代24层堆栈以及第二代32层堆栈的3D V-NAND已经应用在多款产品上，例如三星850 EVO固态硬盘等。而日前三星又再宣布，3D V-NAND将步入第三代，采用48层堆栈设计的3D V-NAND闪存开始进入量产阶段。

三星在去年推出了第二代3D V-NAND技术，并应用到850 Pro/EVO两款SSD上，我们也在SSD横评文章上对3D V-NAND作过一些介绍，不过当时手头上的资料并不多，写得较为简单，日前在ISSCC 2015研讨会上，三星公布了第二代3D V-NAND的部分细节，针对优化了的部分进行了一些解释。

三星在本周发布了850 EVO系列SSD，作为840 Evo的后继者，它依然使用TLC闪存，但是这TLC闪存是使用3D V-NAND技术制作的，单颗闪存密度非常高，产品的质保从3年增加到5年，可见可靠性与寿命也比上代有所提升，现在这款SSD已经到了我们手上，今天先放上开箱与简单的测试，详细的评测请慢慢等待。

三星850 EVO采用白色的包装，上面的“3D V-NAND”非常显眼

三星今天在首尔召开“2014三星固态硬盘全球峰会”，在会上发布了新的850 Pro系列SSD，该系列SSD的最大特色就是使用了3D V-NAND闪存，三星对于闪存的使用还是相当大胆的，去年推出了首款使用TLC闪存的840系列，而现在的850 Pro则是首款采用3D V-NAND技术的SSD。

　　日前在Flash Memory Summit会议上，三星推出第一款基于3D垂直NAND（V-NAND）闪存技术的SSD固态硬盘，适用于企业服务器和数据中心。 　　距离之前3D垂直NAND闪存开始量产没多久，三星很快就把它们应用到企业产品上了。他们表示新产品有超过20%的性能增长和超过40%的功耗改进。

　　据BusinessWire介绍，三星的垂直NAND SSD有960GB和480GB两种版本，960GB版具有64个MLC 3D垂直NAND闪存核心，每个容量为128Gb，另外再带SATA 6Gbps接口主控，在连续和随机写入速度上有超过20%的增长。新的3D垂直NAND SSD可以提供35K的P/E擦写次数，为2.5英寸规格。