STEC方面表示，CellCare技术主要是在闪存管理、信号处理、信号纠错等方面上进行了优化，从而达到延长闪存芯片寿命的功能。按照STEC的闪存部门副总裁Pablo Ziperovich称，这个技术最大的优势是将让消费级产品也能拥有原本只存在于企业级产品上的优点。

　　目前STEC正在打造基于CellCare技术和第四代ASIC技术的固态硬盘主控芯片，并对现有成果进行一系列与JEDEC标准有关的测试。据称，在CellCare技术助力下的消费级24nm工艺MLC NAND闪存芯片完全可以满足企业级应用的需求，这对降低企业级固态硬盘产品成本有很大的帮助。

　　据称，CellCare技术目前已经全面嵌入到STEC旗下基于MLC NAND闪存芯片打造的PCI-E、SAS和SATA固态硬盘产品线中，而采用24nm工艺MLC NAND闪存芯片的固态硬盘产品正在开发当中，预计在年内即可推向市场。

　　东芝24nm e-MMC NAND闪存芯片基于Toggle DDR NAND闪存而开发，符合e-MMC Version 4.41标准规范，单颗存储核心容量为8GB，每片芯片可封装16颗存储核心和1个闪存控制器，单芯片最大总容量达128GB。

　　消息来源：[TomsHardware]

　　东芝24nm e-MMC NAND闪存芯片基于Toggle DDR NAND闪存而开发，符合e-MMC Version 4.41标准规范，单颗存储核心容量为8GB，每片芯片可封装16颗存储核心和1个闪存控制器，单芯片最大总容量达128GB。

　　东芝还称，封装完成的芯片体积非常小，根据容量的不同，芯片尺寸最小为11.5*13.0*1.0mm，最大尺寸为14.0*18.0*1.2mm，非常适合移动设备采用。目前该款e-MMC NAND闪存芯片已经开始提供8/16/32/64GB的样品，并预计在今年第三季度开始出货。

　　据东芝称，24nm制程工艺将用于生产MLC NAND闪存芯片，其存储密度达到2bpc(bit-per-cell)，单颗容量可达到64Gb，而32Gb和3bpc的MLC NAND闪存芯片稍后亦会采用24nm制程工艺进行制造。

　　更多信息可浏览东芝官方网站。