• IBM新工艺将碳纳米管产量提高两个数量级

    bolvar 发布于2012-10-29 11:47 / 关键字： IBM, 碳纳米管, 离子交换

    　　虽然TSMC和Intel都在展望未来的半导体工艺，将使用450mm晶圆和EUV（极紫外光）光刻工艺，制程也会深入到单个nm量级，但是目前的硅基半导体工艺总会有尽头，未来的集成电路发展方向不一，但是比较有商业希望的有两种，一种是石墨烯，三星以及IBM都在这方面有所建树。 　　另外一种就是碳纳米管了，具备能耗低，速度快的优势，诞生20多年来这种晶体管已经多次被报道称有突破性进展，但是距离商业化应用依然很远，其中最大的问题之一就是无法大规模量产结构统一的碳纳米管，结构不一致的话碳纳米管会对电路产生负面影响。

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