• Rambus看上HBM，联手AMD代工厂推14nm HBM 2物理层

    bolvar 发布于2017-02-08 10:53 / 关键字： Rambus, HBM, 物理层, 14nm

    在新一代内存/显存技术中，GDDR5X是分支，GDDR6是正统，而HBM算是高手中的高手，论性能足以秒其他内存技术，只不过HBM内存的问题在于制造工艺复杂，成本太高。在内存技术领域大有名气的Rambus近年来也转向HBM领域，日前与AMD代工厂GlobalFoundries联合宣布将基于后者的14nm LPP工艺制造HBM 2标准的物理层，主要用于网络及数据中心市场。

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  • DDR4提速3200Mbps，Cadence宣布16nm FinFET工艺DDR4物理层IP

    bolvar 发布于2014-05-21 09:20 / 关键字： DDR4, DDR4-3200, Cadence, 物理层

    今年三季度的Haswell-E/EP将成为首个支持DDR4内存的平台，美光、三星、SK Hynix的DDR4内存也在进行中。目前DDR4的运行速率并不算多高，初代产品多数都是DDR4-2133规格的，甚至不及高频DDR3内存。Cadence公司日前宣布他们已经使用TSMC的16nm FinFET工艺生产了新DDR4内存物理层IP，速度可达3200Mbps。

    Intel的Haswell-E平台将率先支持DDR4内存

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