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比闪存快6倍，TDK首次演示MRAM存储器原型

bolvar 发布于2014-10-09 15:09 / 关键字： TDK, MRAM, 闪存, SSD, 存储技术

对于下一代存储技术，人们不仅希望它速度更快，延迟更低，还希望它是是非易失性的，断电之后数据不损失。在众多后续标准中，MRAM（磁阻随机存取存储器）是最有希望胜出的，具备了上面提及的两个优点。在日本的高新技术博览会上，TDK公司首次展示了STT-MRAM技术制造出来的8Mb存储器，虽然容量很小，不过读写性能已经是闪存的7倍多了。

有关MRAM存储技术的背景可以参考我们之前的文章：下一代非易失性存储最强音，MRAM技术解析，Intel、IBM、三星、SK Hynix、高通等公司都在投入研发，不过日本公司在这个领域实力也很强大，除了东芝外，TDK也是重要的参与者，这次他们在日本Ceatec博览会上首次公开了MRAM晶圆，还有实际的性能演示。
TDK的MRAM技术基于STT（Spin-transfer torque，自旋钮转换），技术方案之前就有过了，不过TDK研究的是新方法，它以磁荷存储数据，通过STT效应命名数据状态，在写入数据时可以借此约束电子获得磁场强度变化。
从PCWORLD的报道来看，在展会现场TDK还做了STT MRAM与闪存的性能对比，左侧的是他们研发的STT MRAM平台，右侧的是NOR闪存，MRAM的性能是NOR闪存的7倍多。
目前MRAM技术依然在研发中，TDK通过旗下的Headway公司生产了8英寸的MRMA晶圆（第一张图所示）做测试用，不过Headway公司不具备大规模量产的能力，所以TDK以后还需要一家合作伙伴来帮他们生产MRAM。
在MRAM领域，TDK的主要对手是美国的Everspin公司，2年前他们也推出了ST MRAM芯片，而且是16Mb容量的，读写性能也非常惊人。
不过目前的MRAM技术都是镜中花水中月，理论优势很好，但是技术根本不成熟，而且自身也有天生劣势，距离实用还有很长一段距离的。

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合力开发下一代存储技术，东芝与海力士联手发展MRAM技术

Blade 发布于2011-07-13 17:05 / 关键字：东芝, 海力士, MRAM, 存储技术

　　尽管目前仍是DRAM时代，不过东芝（Toshiba）和海力士（Hynix）已经开始着手为下一代的存储芯片进行准备了。今天两者联合宣布，他们将集合各自的研究人员并展开合作，共同研发MRAM技术的产品。
　　MRAM的全称是自旋扭矩转换磁性抵抗型随机存储器（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory），其主要利用磁致电阻的变化来表示二进制的0和1，从而实现数据的存储。与现有的DRAM相比，MRAM拥有寿命长、速度快、密度大、功耗低及断电数据不丢失的特性。

　　这次东芝和海力士的合作主要是希望将MRAM技术产品化，早期的目标是研发MRAM与NAND闪存的混合存储产品，而后期目标则是进军PC内存和硬盘领域。不过虽然两者达成了合作协议，但具体的产品路线图仍未公布。

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