全球最主要的存储芯片产能都掌握在美国、日本与韩国公司手中，DRAM内存是三星、美光及SK Hynix，NAND闪存领域则是三星、SK Hynix、东芝/闪迪、美光/Intel等四大豪门，国内所用的内存及闪存基本上都是进口的。在这种情况下，国内的半导体扶植基金把存储芯片作为突破口，将耗资240亿美元在武汉建设国内最大、最先进的存储芯片基地，现在这个项目就要开始实施了——武汉新芯公司28日就会正式开工建设自主研发的晶圆厂。
武汉新芯公司在大基金支持下将成为国内最大最先进的存储芯片研发、生产基地
国产存储芯片这个项目曾经吸引了国内多个城市竞争，去年确定落户武汉市，由武汉新芯公司负责建设、运营。值得一提的是，在竞争中落败的合肥市并没有放弃，他们联合了前尔必达董事长坂本幸雄设立的兆基科技公司投资8000亿日元在合肥建造另外的存储芯片厂，国内一下子要造出两个存储芯片基地了。
合肥的项目还没有最终成行，相比之下武汉的国产存储芯片建设已经踏上正轨了，本月28日就会举行首座12英寸晶圆厂动工仪式。他们的最终目标是筹资240亿美元，至少会有2座12英寸晶圆厂，月产能高达30万片晶圆，日后将成为中国最大、最先进的存储器研发与生产制造基地。
武汉新芯公司成立于2006年，是湖北武汉市的重大战略投资项目，2008年12寸晶圆厂投产，原本是中芯国际旗下的晶圆厂，2013年中芯国际推出运营，武汉新芯成为独立公司，由武汉市政府负责。目前武汉新芯战地面积531亩，现有一座12寸晶圆厂，主产NOR闪存。
相比NAND闪存及3D闪存，NOR闪存目前来说已经不是主流了，这意味着新芯公司与国际公司存在的技术代沟。此前该公司也曾寻求与三星、SK Hynix及美光等公司技术合作，但最终都没有结果，因此武汉新芯公司将采用自主研发、自主建厂的方式运营。
根据之前的消息，新芯公司之前跟Spansion飞索半导体合作开发3D NAND闪存，这应该是他们的闪存技术来源了，但是不确定这种3D闪存的技术水平到底如何。
武汉新芯公司官网上今年的新闻只有一条，不过最新的几条新闻都是围绕3D NAND闪存的，看起来他们也确实把3D闪存作为攻坚重点。
目前存储芯片市场上，随着新工艺及投入的增大，三星、SK Hynix等公司的产能都在迅速提升，下半年内存价格都有可能暴跌40%，NAND闪存市场同样也会降价的压力，这对国产存储芯片公司来说是个考验。综观国内液晶及LED产业的崛起，国内公司都是靠着政府支持及补贴大打价格战来占领市场的，存储芯片领域同样难逃这个命运。我们在支持国内公司做大做强的同时，也希望这些公司能以技术优势立足而不是一味拼低价，国内的钢铁产业现在就是个“榜样”。
