根据紫光公司所说，P8260硬盘支持NVMe 1.2.1标准，支持PCIe Gen3 x4，最多支持16个NAND通道，提供了高吞吐量的基础。双通道40bit DDR控制器（带有ECC功能）让内部数据的接入更靠。强大硬件与高效固件之间的完美结合，可以为用户提供多样化、差异化的高性能、高可靠性、高稳定性特质的企业级SSD。该产品在安全存储领域具有较强竞争力，能够针对不同用户的需求提供理想的定制化选择。

目前，紫光P8260提供1TB/2TB两种容量，以及AIC和U.2两种产品形态接口。

从官方的规格表上可以看到，P8260硬盘使用的是长江存储的32层堆栈3D NAND闪存，官方没提及具体规格，但早前的爆料中显示长江存储的32层NAND闪存是64Gb核心容量的，比目前256Gb、512Gb核心的主流产品还是有一定差距的，不过长江存储今年量产的64层堆栈3D NAND闪存核心容量会更大，翻倍到128Gb，差距会缩小。

P8260的主控是紫光得瑞公司的，也是做企业级存储解决方案的，有自己的企业级主控芯片，不过主控芯片规格查不到，他们的企业级SSD主要是NVMe SSD D5850/D5450/D5430系列。

DRAM缓存是来自紫光旗下的西安紫光国芯，这个公司我们之前介绍过多次了，其前身是奇梦达西安公司，陆续被国内公司整合收购，最后到了紫光手中，他们具备DDR3/DDR4内存研发能力，但没有生产能力，尚不清楚P8260硬盘的DRAM缓存具体规格。

除了企业级SSD硬盘之外，紫光存储还展示了面向电脑/PC预装市场的SSD P5120，和面向大众消费市场的SSD：P100和S100等产品。其中P100和S100均采用紫光存储合作伙伴的世界主流高端存储晶圆，成熟可靠的技术方案，具备出色的产品性能，运行平稳，省电耐用。紫光存储还为用户提供了长达3年的质量保障，以及极具竞争力的市场定价，势必为SSD市场和用户带来巨大的惊喜。

结合我们之前的分析，紫光存储的S100系列硬盘可以确定不是长江存储的NAND闪存了，紫光表明这些产品使用的是合作伙伴的世界主流高端存储晶圆，而去年紫光存储就跟英特尔达成了合作协议，英特尔在国内大连升级的晶圆厂已经量产了64层堆栈的3D NAND闪存，紫光消费级SSD硬盘的闪存应该就是采购英特尔晶圆自行封装的了。

紫光国微就是之前的西安紫光国芯，今年5月份改名为紫光国微，而紫光集团6月初与重庆市政府、国家集成电路产业基金发起成立了紫光国芯集成电路股份有限公司，注册资本1000亿人民币，还会寻求IPO上市，占用了紫光国芯这个名字，所以之前的西安紫光国芯就更名为紫光国芯微电子股份有限公司，简称紫光国微。

根据官网介绍，西安紫光国微半导体有限公司前身为西安华芯半导体有限公司，是由原奇梦达科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的。公司2003年作为德国英飞凌科技存储器事业部在西安成立，在2006年，伴随着存储器事业部从英飞凌科技全球拆分上市成为奇梦达科技，奇梦达科技（西安）有限公司也随之成立并开始作为一家独立的公司运营。2009年，浪潮集团收购原德国奇梦达科技（西安）有限公司进行改制重建并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年，紫光集团旗下紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

该公司今年6月份曾经表示今年内完成DDR4内存开发，并且开始市场推广，不过到了12月份也没有踪影，不少投资者也很关心这个问题，紫光国微上周也给出了回应了，表示“公司DDR4存储器芯片的开发工作已经基本完成，正在进行后续改进、完善及市场推广工作。下游制造代工的情况目前没有明显改善，产能仍然很难保证。”

换句话说，紫光国微的DDR4内存已经基本完成了设计、开发工作，但是现在的困难在于国内没有DRAM晶圆厂，无法投入生产，也就没可能上市。

在DRAM工厂上，国内目前主要有合肥长鑫/兆易创新以及福建晋华/联电的两个合作项目，不过晋华/联电因为与美光的专利纠纷而被美国制裁，DRAM内存生产进度恐怕会大受影响。至于合肥长鑫的DRAM项目，之前的表态是今年底研发成功19nm DRAM芯片，不过真正生产还是要到明年，而且刚开始的产能、良率也不会达到很高的水平，即便他们可以给紫光国微代工，短时间内也解决不了问题

总之在DRAM内存生产上，确如紫光国微所说，产能很难保证。

根据官网介绍，西安紫光国芯半导体有限公司前身为西安华芯半导体有限公司，是由原奇梦达科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基础上发展起来的。公司2003年作为德国英飞凌科技存储器事业部在西安成立，在2006年，伴随着存储器事业部从英飞凌科技全球拆分上市成为奇梦达科技，奇梦达科技（西安）有限公司也随之成立并开始作为一家独立的公司运营。2009年，浪潮集团收购原德国奇梦达科技（西安）有限公司进行改制重建并更名为西安华芯半导体有限公司。2015年，紫光集团旗下紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。

西安紫光国芯的母公司紫光国芯今年5月份改名为紫光国微，日前该公司表示DDR4内存芯片正在研发中，预计年底前完成，并推向市场。这也不是紫光方面第一次透露DDR4内存进度了，早在上半年紫光国芯就提到了今年供货DDR4内存芯片，紫光国芯的官网上也如上图所示提到了供应DDR/DDR2/DDR3/DDR4 DRAM芯片及裸晶圆。

不过紫光方面一直也没有公布过DDR4内存的具体详情，颗粒速度、CL时序、制造工艺等细节还是未知数，淘宝上也有卖紫光DDR3及DDR4内存，DDR3内存使用的是紫光DRAM芯片，但是紫光DDR4目前使用的并不是紫光的DDR4颗粒，真正紫光生产的DDR4颗粒尚未上市。

2017年中国进口了896亿美元的存储芯片，几乎100%依赖进口，因此存储芯片也是目前国内优先发展的半导体产业。国内目前有三大存储芯片基地，紫光主导的长江存储以武汉为基地，主要生产3D NAND闪存，预计明年正式投产32层堆栈的64Gb闪存，选择DRAM内存芯片作为重点的有两大阵营，福建晋华集团联合台联电在晋江建设DRAM晶圆厂，此前与美光发生专利纠纷导致美光芯片被福州法院禁售的就是与联电、晋江投资集团有关。

另一个DRAM基地是合肥长鑫，这个项目最初报道说是跟前日本尔必达董事长成立的公司合作，不过后者现在几乎淡出，合肥长鑫现在的合作方是兆易创新，去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

来自半导体行业观察的爆料称，合肥兆鑫已经正式投片，生产的规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑。

此外，合肥兆鑫CEO王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

从这次投产的时间来看，兆易创新/合肥长鑫的内存研发、生产正在按部就班进行，推出8Gb LPDDR4只是计划中的进度而已，不过从技术突破来看这应该是国内公司首次投产LPDDR4内存，此前紫光国芯计划提供的也只是DDR4颗粒。

不过话说回来，不论是DDR4还是LPDDR 4颗粒，国内公司投片生产虽然可喜可贺，但是从试产到大规模上市再到形成竞争力依然有很长的路要走，明年底的产能也不过2万片晶圆/月，即便不考虑明年国际主流是LPDDR4的技术差距问题，2万片晶圆/月的产能对全球每月上百万片晶圆的产能来说依然不会有什么重大影响。