紫光闪存UNIS UF200专业高速存储卡拥有180MB/s的顺序读取性能和160MB/s的顺序写入性能，达到Video Speed Class 30等级的性能表现，1GB视频文件读取仅需6秒，比传统存储卡提升90%。同时经过一系列严苛的环境测试，能够承受超过一万次的拔插操作，具备IPX7.1级别的防水性能，能够保证在-40℃-85℃的极端温度范围内存储数据正常，并且拥有0-2000Hz的抗震能力，展现出强大的耐用性和稳定性。

紫光闪存表示，在追求极致视觉体验的今天，4K@60fps视频录制已成为行业高标准配置。新产品专为满足严苛的视频制作需求而设计，不仅能够轻松应对城市繁华景象下的高动态范围捕捉，记录壮丽自然风光时保持无与伦比的清晰度与流畅度，还成为了户外工作者和极限运动爱好者的理想选择，确保了每一位创作者都能无障碍地捕捉并保存下生活中的每一个精彩瞬间，让每一帧画面都充满科技美感与艺术价值。

官方表示，UNIS PN C2紫翼系列是一款专为现代移动生活打造的高性能移动固态硬盘，7mm的纤薄机身和时尚外观，39g的重量，采用了磁吸式设计，外形纤薄小巧，让用户的创作与记录过程变得前所未有的“丝滑”。只需轻轻一靠近，UNIS PN C2紫翼系列磁吸式移动固态硬盘便牢牢贴合于手机背后，实现无缝贴合，不仅稳固了物理连接，不挡镜头，更拉进了创意与现实之间的距离。

UNIS PN C2紫翼系列磁吸式移动固态硬盘的最高连续读取速度可达2000 MB/s，最高顺序写入速度为1800 MB/s，从4K分辨率高清照片的拍摄，到4K 30fps ProRes原生视频的流畅录制，再到大型3A游戏的秒传，一切都在眨眼间完成，也是对创作流程的一次革命性颠覆。

UNIS PN C2紫翼系列磁吸式移动固态硬盘提供了深邃蓝和典雅灰两种配色，可选512GB、1TB和2TB容量，配备了Type-C to Type-A独立转接头，实现单线材，多接口适配，可连接苹果手机、安卓手机、鸿蒙手机、平板电脑和数码相机等。

与UNIS SSD S2 Ultra系列一样，这次新款UNIS SSD S2系列选择的仍然是M.2单面芯片设计，轻巧灵活，兼容多种设备。其采用了PCIe 4.0 x4接口，可向下兼容PCIe 3.0 x4接口，属于M.2 2280外形规格。UNIS SSD S2系列臻选原厂3D NAND闪存颗粒，品质严控，最高连续读取速度可达7100 MB/s，最高顺序写入速度为6200 MB/s，高于UNIS SSD S2 Ultra系列的6400 MB/s和5700 MB/s。

UNIS SSD S2系列首批提供了1TB和2TB两种容量可选，TBW分别为400和800。此外，紫光闪存还为UNIS SSD S2系列标配了1mm石墨烯散热贴，通过物理散热有效降低温度，同时利用智能算法与多级负载调节技术，结合精准固件控温，双重保障SSD在高速运行下的温度安全，确保长时间稳定运行。

紫光闪存表示，无论是大型文件的传输、复杂数据的处理，还是高清视频的编辑，UNIS SSD S2系列都能轻松应对，尤其适合办公、游戏、视频播放等应用场景，大幅提升工作效率，带来丝般顺滑的使用体验。

与UNIS SSD S2 Ultra系列一样，这次新款UNIS SSD S2系列选择的仍然是M.2单面芯片设计，轻巧灵活，兼容多种设备。其采用了PCIe 4.0 x4接口，可向下兼容PCIe 3.0 x4接口，属于M.2 2280外形规格。UNIS SSD S2系列臻选原厂3D NAND闪存颗粒，品质严控，最高连续读取速度可达7100 MB/s，最高顺序写入速度为6200 MB/s，高于UNIS SSD S2 Ultra系列的6400 MB/s和5700 MB/s。

官方没有提供UNIS SSD S2系列的具体容量，不过表示1TB和2TB的TBW分别为400和800，这意味着首批产品很可能提供这两种规格。此外，紫光闪存还为UNIS SSD S2系列标配了1mm石墨烯散热贴，通过物理散热有效降低温度，同时利用智能算法与多级负载调节技术，结合精准固件控温，双重保障SSD在高速运行下的温度安全，确保长时间稳定运行。

紫光闪存表示，无论是大型文件的传输、复杂数据的处理，还是高清视频的编辑，UNIS SSD S2系列都能轻松应对，尤其适合办公、游戏、视频播放等应用场景，大幅提升工作效率，带来丝般顺滑的使用体验。

新紫光集团董事长李滨在主题演讲中指出，新紫光集团“新”在新架构、新模式及新技术。据了解，新紫光将通过加大研发投入和聚集优秀人才，在多个硬科技领域进行布局，一方面探索新型的“存算-算网”一体化架构，打造满足下一代智算中心的集群解决方案，另一方面聚焦第二代III-V族化合物半导体、碳纳米管、3D堆叠、异质集成、Chiplet封装等前沿研究，推动先进工艺加速突破。

新技术开拓方面，新紫光集团通过设立前沿技术研究院，在高性能计算系统与芯片架构、新型存储器与存算一体化芯片等多领域布局。四大创新技术方向包括了多元异构高效融合的新型智算集群系统解决方案、高端车规级芯片、6G与低轨道卫星通信芯片、面向后摩尔时代的半导体技术新赛道。

新紫光集团将在北京、成都、广州、珠海、岳阳、芜湖等多地规划建设了先进制造基地和先进研发中心项目，叠加体系内已有的制造布局，构建起纵深全国、遍布海外的完备生产体系，完善产业链建设。

新紫光集团还同步揭晓了全新品牌形象，以流畅而开放的线条勾勒出字母“N”，代表着新紫光集团致力于开启新时代（New）、面向新未来（Next）、引领新航线（Navigator）。

UNIS SSD S2 Ultra系列选择的是M.2单面芯片设计，搭载HMB+SLC动态缓存，采用了PCIe 4.0 x4接口，可向下兼容PCIe 3.0 x4接口，属于M.2 2280外形规格。其臻选原厂3D TLC NAND闪存，自主封装，最大顺序读取/写入速度分别为6400 MB/s和5700 MB/s，最大随机读写分别为900K IOPS和1000K IOPS，1TB和2TB的TBW分别为600和1200，平均无故障时间（MTBF）高达150万小时。此外，该款SSD还支持ECC纠错机制和4K LDPC高阶算法，保障数据安全。

紫光闪存表示，新产品传输能力强悍且稳定，一体机、游戏机、台式机和笔记本电脑随心配，使用上非常地灵活，让办公、游戏和视频播放运行无压力。SSD配有1mm石墨烯散热贴，加强物理散热，结合智能算法，多级负载调节，通过固件精准控温，为SSD提供了更好的温度控制。

目前紫光闪存系列包含以下产品：企业级固态硬盘UNI Flash E1000/E4000系列、消费级固态硬盘UNIS SSD L1/S2/S2 Ultra系列、移动闪存产品UNIS PSSD PLS1系列、嵌入式eMMC、UFS产品UNIS Flash E1/U1。其中企业级固态E1000/E4000均搭配高品质原厂颗粒，支持SATA 3.0及PCIe 4.0等多种接口协议，以及多种加密安全算法标准，具有高可用性、高可靠性、高性能和低功耗的优点。而消费级固态L1/S2/S2 Ultra则使用原厂3D TLC颗粒，M.2 2280长度，支持PCIe 3.0和PCIe 4.0等接口协议，为更多用户提供优秀的存储体验。另外，紫光闪芯还表示面向下一代的消费级PCIe 5.0产品已投入研发。

至于移动及嵌入式闪存系列产品则支持eMMC 5.1 HS400和UFS 2.2/3.1传输协议，使用原厂闪存颗粒，具有工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性优良和高PE次数（擦写次数）的特点。紫光闪芯官方表示，这些产品将会在近期随“6.18”促销节上架国内各大电商平台，并会在后续提供更多产品，目前各电商平台尚未有相关产品上架销售，定价也尚无消息。

其他方面的话，关于酷派的这款千元5G手机，暂时还没有更多消息。不过，从和中国电信合作的情况来看，这款产品应该是和之前的运营商定制机型会有关联，甚至不排除会成为办理中国电信5G套餐送的手机产品……另外就是，关于酷派的这个手机品牌，曾经是中华酷联时代的四大品牌之一，只是现在逐渐淡出普通消费者的视野。

因此，在酷派宣布将会发布旗下首款千元5G手机的时候，甚至有网友表示“诈尸”。不过，对于更广泛的消费者来说，推出价格更加实惠的产品肯定是一件好事。

紫光集团在重庆建厂的项目最早是在去年八月和重庆政府达成一致，最初的目标是在2019年底开始建设，并且在2021年实现批量生产。不过，受到新冠肺炎疫情的影响，紫光重庆建厂的计划被耽搁。另一方面，在紫光集团的领导下，扬子存储技术有限公司（YMTC）已经开始批量生产存储信息的NAND闪存芯片。

除此之外，晋华集成电路有限公司（JHICC）计划进行DRAM生产，但是面临技术和其他事项的法律纠纷，计划暂时搁浅；长鑫正在大规模生产DRAM芯片，尤其是用于移动设备的DRAM芯片，但是面临质量和成本方面的挑战。而紫光如果想要自主生产DRAM芯片的话，它还需要美国制造的设备，但是目前的情况来看的话，可能会比较难。

在此之前，对于长鑫存储的DRAM芯片，江波龙以及威刚等都宣布了采用长鑫内存芯片的产品。

对于这种身兼SIM卡功能和存储卡功能的超级SIM卡，目前宣传在售的版本为32GB以及64GB。怀着好奇，时隔首发时间一周之后，我今天下午顶着“初夏”的大太阳就跑到了“指定营业厅”广州联通新时空营业厅。但是，一问之下，营业厅告诉我首批已经办理完了，现在营业厅已经没有了。对于这种新的SIM卡，我就好奇想摸摸，但是展示样品是没有的。所以，只能看看网上公布的图，然后听听营业厅对于这款产品的描述，“就是长得跟一张普通TF卡一样的”、“兼顾TF卡和SIM卡功能”，询问之下，这款SIM卡也是支持作为普通SIM卡使用的。

目前，关于这个“新物种”，咨询营业厅之后得知，暂时不提供SIM卡的“裸卖”，只支持参加存话费送卡的活动，存120元送32GB，存240元送64GB。但是，首批已经办完了。白跑一趟之后我就在想，现在广州人民连SIM卡都要抢了吗？想了一下支持列表上的那些机型在广州也不常见啊……还是说本来送到营业厅的就没多少张卡呢？我仿佛被耍了。

进一步询问电话客服之后，联通告诉我目前仅限在“自有渠道”办理，后续会扩展到其他渠道，但是具体安排也不清楚。电话客服告诉我，目前可以通过自由渠道办理，有可能除了新时空营业厅之外其他自由营业厅也可以办理，但是细问哪一家可以办理的时候，电话客服只是知道“自有渠道”，不过可以上报问题等专人回复。

目前，关于问的几个问题电话客服都不确定回复我，所以上报问题了，等联通回复我的时候再做个详细的问答吧。大家有什么想了解的也可以留言。

规格方面，紫光5G超级SIM卡可选32GB/64GB/128GB，拥有90MB/s的数据读取速度，60MB/s的写入速度。功能上，紫光5G超级SIM卡还将推出同名移动端APP，用户通讯录、照片、应用等资料可以方便地备份到SIM卡，然后转移到新的手机，在换机时提供了一定的方便。

不过，经过我们的了解，目前联系联通在线客服的时候，他们其实也还不知道紫光5G超级SIM卡，他们会告诉你暂时没有相关通知等等。在通过联通在线客服给的问题反馈链接进行反馈之后，联通客服表示，目前只有32GB和64GB两个5G超级SIM卡在售，但是不明确是否是紫光5G超级SIM卡，没有128GB的，售价分别是75元和150元，如果你是广州联通用户或者身在广州的话，可以亲自到广州联通新时空营业厅了解更为详细的信息。

根据中国工业新闻网的报道，经过多年的发展，紫光集团目前已经在存储相关的设计和制造领域形成了一定的实力基础，并拥有了从生产、设计、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产品化方面的经验。紫光旗下的西安紫光生产出了全球首个支持内嵌自检测修复的DRAM存储器产品（ECC DRAM），并且涵盖了SDR、DDR、DDR2、DDR3和DDR4，以及在低功耗方面的LPDDR2和LPDDR4等产品标准，其中二十余款产品已经量产并销售。紫光在服务器内存模组（RDIMM,NVDIMM）、笔记本内存模组（SODIMM）和台式机内存模组（UDIMM）也已经有40多款产品实现了量产并已经面世。

在3D NAND方面，紫光旗下的长江存储已经研发并小规模批量生产了32层3D NAND闪存芯片，并在产品当中采用了Xtacking TM技术，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，使得NAND获取更高的I/O接口速度及更强的操作功能。

紫光此次组建DRAM事业群的目的是整合自己相关的技术和产品，扩展在存储器领域的布局，并深化其“从芯到云”产业链的建设。其中被任命为DRAM事业群董事长的刁石京现担任紫光集团联席总裁、紫光国微董事长、紫光展锐执行董事长、长江存储执行董事等职务；被任命为DRAM事业群CEO的高启全现担任紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯CEO。

小编认为，国内企业能够进一步整合技术和产业对于消费者肯定是有利的，所以还是希望国内企业可以越做越好。

根据紫光公司所说，P8260硬盘支持NVMe 1.2.1标准，支持PCIe Gen3 x4，最多支持16个NAND通道，提供了高吞吐量的基础。双通道40bit DDR控制器（带有ECC功能）让内部数据的接入更靠。强大硬件与高效固件之间的完美结合，可以为用户提供多样化、差异化的高性能、高可靠性、高稳定性特质的企业级SSD。该产品在安全存储领域具有较强竞争力，能够针对不同用户的需求提供理想的定制化选择。

目前，紫光P8260提供1TB/2TB两种容量，以及AIC和U.2两种产品形态接口。

从官方的规格表上可以看到，P8260硬盘使用的是长江存储的32层堆栈3D NAND闪存，官方没提及具体规格，但早前的爆料中显示长江存储的32层NAND闪存是64Gb核心容量的，比目前256Gb、512Gb核心的主流产品还是有一定差距的，不过长江存储今年量产的64层堆栈3D NAND闪存核心容量会更大，翻倍到128Gb，差距会缩小。

P8260的主控是紫光得瑞公司的，也是做企业级存储解决方案的，有自己的企业级主控芯片，不过主控芯片规格查不到，他们的企业级SSD主要是NVMe SSD D5850/D5450/D5430系列。

DRAM缓存是来自紫光旗下的西安紫光国芯，这个公司我们之前介绍过多次了，其前身是奇梦达西安公司，陆续被国内公司整合收购，最后到了紫光手中，他们具备DDR3/DDR4内存研发能力，但没有生产能力，尚不清楚P8260硬盘的DRAM缓存具体规格。

除了企业级SSD硬盘之外，紫光存储还展示了面向电脑/PC预装市场的SSD P5120，和面向大众消费市场的SSD：P100和S100等产品。其中P100和S100均采用紫光存储合作伙伴的世界主流高端存储晶圆，成熟可靠的技术方案，具备出色的产品性能，运行平稳，省电耐用。紫光存储还为用户提供了长达3年的质量保障，以及极具竞争力的市场定价，势必为SSD市场和用户带来巨大的惊喜。

结合我们之前的分析，紫光存储的S100系列硬盘可以确定不是长江存储的NAND闪存了，紫光表明这些产品使用的是合作伙伴的世界主流高端存储晶圆，而去年紫光存储就跟英特尔达成了合作协议，英特尔在国内大连升级的晶圆厂已经量产了64层堆栈的3D NAND闪存，紫光消费级SSD硬盘的闪存应该就是采购英特尔晶圆自行封装的了。

在昨天开幕的2019中国广州国际投资年会，紫光集团联席总裁于英涛发表了演讲，他宣布紫光集团将在广州打造紫光集团南方总部，建立5G研究院及创新基础设施生产基地，结合广州的区域优势和生态环境优势，助力广州数字经济发展。

在5G之外，紫光集团宣布的另外一项重要合作就是广州存储芯片基地，紫光与广州高新区、黄浦区正式签署了紫光广州存储系列项目合作框架协议。据报道，这个协议中紫光未来将在广州投资1000亿元，建造2座晶圆厂生产存储芯片。

从报道来看，紫光在广州的存储芯片布局还是协议性的，目前并没有实际投资，工厂建设也无从谈起。此外，紫光的一系列资本操作也让人很迷惑，因为2017年底紫光宣布华南总部落户东莞，拟在东莞投资1000亿元，建设紫光集团芯云产业城项目暨“紫光集团华南区总部项目”。

但那次的投资也是协议性的，如今紫光宣布华南总部落户广州，意味着东莞的投资协议已经黄了，至少华南总部投资是没了。

紫光何时落实广州的投资还不确定，不过随着这次投资协议的公布，紫光布局第四个存储芯片基地的传闻已经证实了。在广州之前，紫光已经在武汉、成都、南京三地巨额投资了存储芯片基地。

在武汉，紫光收购了新芯科技，打造了长江存储公司，项目总投资240亿美元，一期工程已经建成，去年投资17.8亿美元的二期工程也正式启动了，这两期工程主要生产3D NAND闪存。

在成都，去年10月份紫光成都存储器制造基地项目也开工了，占地面积约1200亩，总投资达240亿美元，将建设12寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售，旨在打造世界一流的半导体产业基地。

在南京，几乎是成都项目开工的同一时间，“紫光南京集成电路基地项目（一期）”也在南京举行开工典礼，投资额105亿美元，项目建成后月产能约为10万片晶圆，而项目总投资预期高达300亿美元。

广州这边的存储基地还是计划性的，总投资及产能还是未知数。

在存储芯片领域，紫光有个千亿美元的庞大投资计划，去年紫光董事长赵伟国表态紫光将在未来10年投资1000亿美元建设芯片制造基地，目前已经筹集了1800亿元。