根据中芯国际的财报数据，截至今年6月30日中芯国际Q2季度营收为8.907亿美元，环比上一季度的8.310亿美元增长7.2%，相比去年同期的7.512亿美元增长18.6%。不包括技术授权营收，中芯国际Q2季度营收为8.379亿美元，环比上一季度的7.234亿美元增长15.8%，同比去年同期的7.512亿美元增长11.5%。

盈利方面，中芯国际Q2季度毛利润为2.178亿美元，上一季度为2.202亿美元，去年同期为1.941亿美元。不包括技术授权营收，中芯国际Q2季度毛利润为1.650亿美元，上一季度为1.126亿美元，去年同期为1.941亿美元。

中芯国际Q2季度的毛利率为24.5%，上一季度为26.5%，去年同期为25.8%。不包括技术授权营收，中芯国际Q2季度毛利率为19.7%，上一季度为15.6%，去年同期为25.8%。

Q2季度中中芯国际的产能利用率增长到了94.1%，上一季度为88.3%，去年同期为85.7%，整个Q2季度出货晶圆数量为125.8万片，同比、环比增长24%、16%。

在技术方面，Q2季度中中芯国际来自28nm工艺的营收占比达到了8.6%，相比Q1季度的3.2%占比大幅增长，去年同期28nm占比为6.6%，同比增长2个百分点。

此外，中芯国际的14nm FinFET工艺开发上获得重大进展，第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。除了28nm PolySiON和HKC工艺之外，中芯国际的28nm HKC+技术开发也已完成，28nm HKC持续上量，良率达到业界水准。

北京日报日前报道了中芯国际，提到了中芯国际在晶圆厂、半导体装备、制造工艺等方面的一些进展。以半导体制造装备为例，中国新建的晶圆厂绝大多数装备都是进口的，10块钱的装备有9.8元都进入了国外厂商的口袋。

除了大家经常听到的光刻机之外，还有离子蚀刻机、离子注入机、光学抛光机、快速退火设备等等，在这方面中芯国际也积极支持国产装备，过去七年中国产半导体装备的占有率从1%提高到了15%。

与此同时，中芯国际还在不断缩小与国外先进工艺的差距，按照原文的说法，中国集成电路先进制造工艺已经从之前落后国际4到5代缩小到了1-2代的差距，中芯国际的14nm工艺预计会在2019年上半年量产。

对于国产14nm工艺，这是2015年比利时国王访华时中比双方签订的一系列合作之一，比利时有全球著名的IMEC比利时微电子中心，在先进半导体工艺上具备丰富的经验，当时中芯国际、华为以及高通联合IMCE签署了合作协议，研发14nm FinFET制造工艺，预定目标是2020年之前量产，现在来看进度还是OK的。

不过协议签署时国内还没有28nm以下的先进工艺，此后台积电宣布在南京建设16nm工艺晶圆厂，2016年正式动工，原本预计今年下半年量产，不过工程进展很快，上半年就已经正式量产了，所以中芯国际的14nm在国内市场也会遭遇台积电的强力竞争，而且后者在量产时间、工艺成熟度上显然更有优势。

尽管如此，在14nm量产之后，中国半导体工艺与世界先进水平的差距确实大大缩小了，28nm、14nm以及未来的7nm都是高性能节点，会长期存在，所以只要能量产出来，对发展国产高性能芯片都是有益的。

中芯国际CEO周子学此前在一次内部会议上表示中芯国际将用10年时间争取进入世界第一梯队。

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　　此前半导体曝光设备占全球份额80%的荷兰阿斯麦（ASML）也获得了英特尔的资助，达成了高达41亿美元的资本合作。英特尔希望通过与全球两大光刻机制造商的合作来提高芯片开发能力，从而在半导体领域继续领跑。

　　据称全球第二大半导体厂商韩国三星电子也有可能跟进，与日本的半导体设备厂商加强合作。