在《十四款120/128GB SSD横向评测》一文中，我们已提到，NAND Flash工艺的进步会让SSD的成本越来越低，这样更容易普及和平民化。

　　目前NAND Flash四大阵营中，英特尔和镁光的主流工艺为25nm，三星为27nm，海力士为26nm，而东芝为24nm，基本是同一级别产品。英特尔和镁光在34nm/25nm这两代上都领先一步，东芝后来居上，24nm至少在数字上要比25nm小，芯片密度更高。

　　虽说Intel 20nm NAND闪存到Q3才开始量产，但是目前仍有小量的20nm NAND闪存试产出来，像在Intel NAND上极有资源优势的SuperSSpeed，已经拿到了20nm的NAND闪存，并搭配SF2281主控开始生产新一代制程的SSD了。

Intel NAND各制程下的Die比较

　　还记得我们去年测试的那个采用SLC闪存的Extreme Speed E16极速U盘吗？当时有不少读者都被这个来自SuperSSpeed出产的USB 3.0闪盘吸引住了吧，这次它带来的不再是闪盘了，而是用SLC做的SSD。

　　精彩推荐：《120/128GB SSD横向评测》 　　SuperSSpeed（深圳超速科技）的主公司香港盈兴科技是Intel FLASH的代理，所以在资源上有着自己的优势，它们的主要产品有USB 3.0闪盘、SSD和各种高速存储卡等。

　　目前市场上的闪盘品种繁多，采用的主控解决方案也是多如牛毛，而当USB 3.0接口慢慢普及时，采用USB 3.0接口的闪盘也开始成为我们猎取的对象。关键在于目前大多数USB 3.0的闪盘在传输速度表现上并不如人意，读取速度一般在70MB/s左右，有点辱没USB 3.0的英名。

　　银灿科技在今年初就推出了全球首颗USB3.0 Flash单一控制芯片IS902，这个解决方案强调低成本、低耗电以及高效能，能对如SLC/MLC/ONFI/Toggle Flash等闪存提供广泛支持。