早前Intel曾经炮轰过其它的厂商在半导体工艺上以命名取胜，实际情况是TSMC 20nm、16nm及三星14nm工艺的栅极距、鳍片间距、金属栅距及逻辑芯片高度等等指标，都全面落后于Intel，尤其是在晶体管密度上是其他家工艺的1.3倍。

三星的10nm工艺应该能很大程度上弥补了之前的不足，根据之前的说法是第一代10nm LPE（Low Power Early）与14nm制程相比，10nm制程制造的芯片性能提升27%，同时功耗降低达40%，并且10nm制程允许每个晶圆多制造30%的芯片。而第二代10nm LPP（Low Power Plus）工艺的量产难题已经被攻克，三星已经开始在韩国汉城的S3生产线上部署相关设备，量产在即。

不过LPE和LPP之间并不是取代关系，因为LPE用的就是低功耗技术，制造出来的芯片更适合用于移动端，而LPP追求的是高性能，更加适合用于对功耗不敏感的设备上，此外第三代10nm LPU制程的研发工作早已提上日程，而LPU更加合适用于高性能、密集型计算应用上。

虽然三星绝大部分的制造工厂都位于自家大本营韩国，但是美国奥斯汀工厂历史也是挺长。从1997年起，投入超过160亿美元用于扩大、维护生产线。与此同时三星在美国总部展示其第四代14nm LPU工艺以及第三代10nm LPU工艺，以满足汽车、消费电子产品、数据中心的不同行业的需求。

与早前第三代14 nm LPC工艺相比，在相同功耗与芯片设计下，第四代14nm LPU工艺能提供更强大的性能，因此最合适用于高性能、密集型计算应用。而最先进的第三代10nm LPU将会成为业界内最具成本效益的先进工艺，不仅能进一步缩小核心面积，而且带来额外的性能提升。14nm LPU与10nm LPU生产流程设计库工具将会在2017年第二季度释放。

当然作为半导体产业领先者，三星也说明了内部7nm极紫外光刻技术发展现状，展示了7nm工艺下的晶元，但并未回应7nm工艺量产实现时间表。