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TSMC：10nm工艺研发本季度完成，2016年春季试产

bolvar 发布于2015-11-04 12:15 / 关键字： TSMC, 10nm, 2016年, 技术冻结

受智能手机、平板市场影响，2015年全球半导体市场也遇冷了，TSMC也减少了30亿资本支出。对TSMC来说，上半年因为16nm工艺比三星14nm FinFET工艺来得晚而造成了被动，流失了高通这样的大客户，苹果订单也被三星分走不少，好在下半年16nm工艺已经开始出货了。吸取了这次的教训，TSMC对下一代10nm工艺的研发投入很大，该公司高管表示这个季度将冻结10nm工艺技术研发，明年春季则会开始试产10nm工艺。

TSMC联席CEO、总裁Mark Liu（刘德音）日前表示TSMC将在本季度冻结10nm工艺技术研发，也就是说他们的10nm工艺技术研发已经基本完成，不会再有大的修改了。研发冻结之后会开始技术性生产，明年春季也就是2016年春会向客户推出10nm工艺试产样品。
根据TSMC所说，其10nm工艺晶体管密度相比16nm FinFET+工艺提升了110%，可以制造出250亿晶体管的芯片，同样的功耗下性能可以提升20%，同样的性能下功耗则可以降低40%。
相比Intel在10nm工艺上的谨慎（2017年前都不会量产），三星、TSMC在10nm工艺上要比Intel激进多了，TSMC以及三星今年早些时候就展示过10nm工艺的晶圆了，两家都争抢着在2017年前甚至2016年底就量产10nm工艺，也就是说留给14/16nm FinFET工艺的时间也就是一年，进度比Intel还要快。
只不过从这两家过去的经历来看，他们对新工艺进度的评估实在是有点太乐观了，大家还是淡定吧。

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