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容量达600GB！Intel年底将推25nm MLC芯片SSD

Qing 发布于2010-08-16 14:51 / 关键字： SSD, Intel G3, Postville Refresh, X25-M, X18-M

　　近日，我们根据存储业者透露的Intel产品路线图得知，Intel与Micron的合资公司IMFT在5月份已开始量产25nm NAND闪存芯片，而Intel则会在今年第四季度推出采用这种闪存芯片的大容量SSD。

　　据悉，Intel在年底将推出4款研发代号为“Postville Refresh”的“G3”SSD，当中包括3款X25-M系列以及1款X18-M系列产品，前者包含了容量为160/300/600GB的型号，而后者则为80GB。这几款产品均会采用IMFT 25nm MLC NAND闪存芯片，搭配新的主控芯片，传输速度方面也将比过往产品更胜一筹。
　　明年Intel还会推出X18-M系列的更多款产品，包括有40/160/300GB容量的型号；而最高端的X25-E系列到明年也将更新产品线，推出代号为“Lyndonville”的新产品，包括了100/200/400GB容量，并采用全新的25nm SLC NAND闪存芯片。

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Intel明年Q4推2xnm工艺/600GB容量SSD

Qing 发布于2009-12-23 11:09 / 关键字： Intel, 2xnm, Lyndonville, Postville Refresh

　　此前我们曾报道过SSD将会在2011年迈进20nm工艺时代，而近日我们从Intel最新的SSD产品Roadmap中看到：该公司将会在明年第四季度开始推出采用2xnm MCL闪存芯片的产品，并且在储存容量方面也会得到大幅的增加。

　　目前Intel已经推出了采用34nm MLC闪存芯片的X25-M和X18-M系列产品，而该两个系列的50nm产品还将持续到明年第三季度才寿终正寝（EOL）。到明年第四季度，Intel将会推出代号为“Postville Refresh”的新产品，搭配2xnm的MLC闪存芯片，容量将具备160GB、300GB以及600GB。
　　另外，Intel面向入门级市场的X25-V系列亦会在明年第四季度升级至2xnm工艺，并且容量提升到80GB；而X25-E所对应的高端领域则会有代号为“Lyndonville”的新产品，采用34nm闪存芯片，具备400/200/100GB几种容量。

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