Intel 10nm的一再推迟，所以一些流言蜚语是不能避免的，现在就有不少声音说Intel已经彻底放弃了10nm工艺，虽然这听起来不太可能然而他们说的振振有词，现在Intel通过官方推特否认了这一时期，Intel表示最近某些媒体报道他们放弃10nm工艺是不真实的，Intel在10nm上取得了良好的进展，新工艺的进度和我们在上次财务汇报中说的时间表相一致。

实际现在这个时间点让Intel放弃10nm工艺是不太可能的，现在所用的14nm工艺几乎被Intel挖掘出大部分潜力了，估计没有多大的优化空间，在第九代处理器发布的时候Intel也表示这会是14nm的最后一代产品，也就是说下一代处理器会采用10nm工艺，而且Intel的10nm工艺并不是没有研制成功，现在Intel的第八代酷睿产品线里面其实就有一款采用10nm工艺的Cannonlake处理器Core i3-8121U，只不过10nm的良品率确实很有问题所以一直没办法大规模生产，目前Intel所做的就是要解决良品率的问题 ，传闻说Intel的10nm工艺进展顺利，明年4月份就能开始产能爬坡，至少提前半年时间量产。

然而这慢长的等待最终会带来好处的，Computerbase表示Intel的10nm工艺中会使用到钴这种金属代替部分的铜，而其他半导体厂目前实用钴这种材料的程度都没有Intel这么高，这使Intel的10nm工艺有了更多的卖点，使用钴新材料后会带来更多好处，作为几乎所有半导体公司的供应商的Applied Materials三年前曾说过钴这种材料是互联网15年来最大的变革，然而要把这种材料投入实用实在太耗时间了，太过昂贵而且也不是必须的。

不过Globalfoundries其实已经在High-K Metal Gate工艺和铜工艺上使用了钴这种材料很多年了，只不过现在的14nm工艺的技术是来源于三星的，不知道有没有使用到钴这种材料，AMD现在的14nm处理器在频率上明显低于那些28nm工艺的产品。

图片来源：Applied Materials

Intel希望用10nm工艺表现他依然是半导体行业的领先者，虽然说他现在在纸面上的纳米竞赛已经输了，然而Intel的14nm工艺明显是最好的，甚至要优于10nm LP和12nm LPP，这也是为什么Intel够胆把自家的10nm与别家的7nm相提并论。

Intel的10nm采用钴代替铜作为下部互联层可使电迁移性能提高1000倍，同时层间通孔电阻应该会减少一半，这必然会大大增加芯片的耐用性，另外Intel会把钴用在数个不同的地方，包括触点、M0和M1层的金属，M2到M5层则是主要用铜不过表面用钴覆盖。

那么Intel的10nm到底什么时候来呢？Intel表示今年内会放出10nm工艺的Cannon Lake，然而今年就剩下19天了，其实Intel现在应该可以生产10nm的芯片了，然而良品率可能比较低，因为这10nm一下子加太新东西进去了，第一代10nm工艺的Cannon Lake可能比较短命，第二代的Ice Lake明年下半年应该就会出来，Cannon Lake可能会成为像今年的Kaby Lake一样的短命鬼。