据上海微电子的官方介绍，该款产品主要应用于高密度异构集成领域，具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光视场等特点，可帮助晶圆级先进封装企业实现多芯片高密度互连封装技术的应用，满足异构集成超大芯片封装尺寸的应用需求，同时将助力封装测试厂商提升工艺水平、开拓新的工艺。

据了解，先进封装光刻机是上海微电子目前的主打产品，全球市场占有率已连续多年第一。新一代的2.5D/3D先进封装光刻机主要应用于数据中心的高性能计算（HPC）和AI芯片等领域，以满足2.5D/3D超大尺寸芯片的封装需求。封装光刻机与一般ASML的光刻机在分工上是不一样的，前者用于后端工艺的芯片封装环节，而后者则是前端工艺的芯片制造环节。

目前上海微电子仍在为其第二代深紫外（DUV）光刻机而努力，据称该设备依靠国内和日本生产的组件，继续使用ArF光源，以28nm工艺制造芯片。上海微电子希望到2023年，可以生产出满足20nm制程工艺的光刻机。

作为中国半导体产业自给自足的多方面计划的一部分，国内不仅鼓励芯片开发和本地制造，而且还支持半导体生产设备的制造。目前上海微电子设备公司官方网站上最高端的光刻机型号为SMEE SSA600/20，是一种浸入式深紫外光刻工具，配备了193nm的氟化氩（ArF）激光器。英特尔和台积电等公司早在2004年就开始使用浸入式DUV光刻技术，因此SSA600/200很难说是一款先进的设备。

SSA600/20机器的后继者将继续使用ArF光源，即将推出的光刻机不但可以使用28nm工艺技术，还可用于40nm级，以及55nm/65nm制造工艺，这些工艺在多种应用中相当受欢迎。到2023年，SMEE希望生产出足以满足20nm节点的光刻机。

台积电早在2011年就采用了28nm工艺技术，使用的是ASML的光刻机，即使SMEE在2021年第四季度出货制造28nm芯片的设备时，也比全球第一大光刻工具供应商落后至少10年。不过目前28nm工艺技术的应用相当地广泛，在未来很多年内，28nm工艺技术还将继续用于不需要FinFET晶体管的芯片。例如电视机制造商康佳集团上个月披露，计划与江西省南昌市政府合作建设一个价值45亿美元的半导体产业园。电视机和消费类采用的电子部件几乎不需要领先的工艺技术，因此28nm节点工艺对它们来说可能是恰到好处。

已经采用了28nm工艺技术、使用ASML和尼康光刻机的芯片制造商，很可能不得不重新设计其节点，以使用上海微电子的新设备。虽然距离国内最先进的光刻机还有一年左右的时间，但要被本土半导体行业广泛采用还尚需时日。

为了不依赖国外的技术，国内还有一个关键因素迫切需要解决和发展。目前所有对现代芯片开发至关重要的先进电子设计自动化(EDA)开发工具都来自美国的公司。在国内公司能够设计出与Cadence、Mentor Graphics或Synopsys公司的产品具备有竞争力之前，国内开发的几乎所有芯片都使用美国的软件进行设计。