关于 SK海力士 的消息
SK海力士计划2025Q1量产GDDR7，晚于三星和美光
今年3月，JEDEC发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7标准，可提供两倍于GDDR6的带宽，以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系列GPU将支持GDDR7。
SK海力士计划扩大存储市场布局，与HLDS共创Super Multi品牌
SK海力士是全球主要的半导体企业之一，也是存储器市场除了三星以外最大的制造商。与三星不同，SK海力士更多地关注存储芯片的生产，自家旗下的产品也主要以商用领域为主导，消费领域相对来说资源投入较少。不过近年来，SK海力士也开始在消费端发力，比如Platinum P41系列SSD就获得了不错的市场口碑。
SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶，三星也有同样的考虑
此前有报道称，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的DRAM产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产。相比于现有第五代10nm级别的1β (b) nm工艺，在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。
SK海力士希望进一步提升HBM4E性能：将集成计算和缓存功能
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。
三星和SK海力士将停产DDR3，或带动价格上涨最高20%
过去两年多里，业界从DDR4内存向DDR5内存过渡，后者占据着越来越大的市场份额。此外，DDR3内存的市场需求量也进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。特别是过去一年多存储器市场经历低迷，供应商普遍减少了DDR3内存的生产，并借此机会降低了库存水平。
SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。
SK海力士在研究低温蚀刻设备，下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
随着3D NAND的堆叠层数越来越多，厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率，SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度是传统工具的三倍，对多层数的3D NAND非常有用。
SK海力士公布2024Q1财报：收入创历史同期新高，开始转向全面复苏期
近日SK海力士（SK hynix）公布了截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告，收入创历史同期新高，营业利润也创下了市况最佳的2018年以来同期第二高。SK海力士认为公司业绩摆脱了长时间的低迷期，开始转向了全面复苏期，凭借旗下面向人工智能（AI）的存储器顶尖竞争力，业绩将持续改善。
SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地，以应对HBM需求的大幅增长
今天SK海力士宣布，为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来，提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。
SK海力士将选择台积电7nm工艺，用于生产HBM4的基础裸片
近日，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
三星和SK海力士竞争升级：争夺下一代AI半导体市场主导权
在进入人工智能（AI）时代后，两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产，以抢夺市场先机，争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入，全球半导体战线正在扩大。
SK海力士和台积电签署谅解备忘录，在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作
SK海力士宣布，已经与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4，预计在2026年投产。
受益于SSD价格持续上涨，三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利
随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效，存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称，2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势，其中NAND闪存会表现得更为强势，合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。
SK海力士准备1cnm DRAM：第六代10nm级别工艺，计划2024Q3量产
去年，SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm（第五代10nm级别）的技术研发，并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG（High-K Metal Gate）工艺，相比1αnm（第四代10nm级别）工艺的产品，功耗降低了20%。
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