关于 SK海力士的消息

最新文章评测快讯课堂淘课堂

SK海力士5层堆叠3D DRAM良品率已达56.1%，具有与2D DRAM相似的特性

三星、SK海力士和美光是全球领先的三大存储器制造商，近期在存储领域的竞争变得愈发激烈。除了数据中心GPU所使用的HBM产品，以及即将到来的新一代游戏显卡采用的GDDR7，现在竞争还延伸到未来的3D DRAM领域。

吕嘉俭 | 发布于1天之前

三星和SK海力士将在3D DRAM应用混合键合技术，最快2025年引入新结构

三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列DRAM行业前两名，都已投入到3D DRAM商业化进程中，希望借此改变存储器行业的游戏规则。排在第三的美光从2019年起就开始了3D DRAM的研究，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍，这也迫使三星和SK海力士加快3D DRAM的开发。

吕嘉俭 | 发布于6天之前

SK海力士计划2025Q1量产GDDR7，晚于三星和美光

今年3月，JEDEC发布了JES239 Graphics Double Data Rate 7，即GDDR7标准，可提供两倍于GDDR6的带宽，以满足未来图形、游戏、计算、网络和人工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系列GPU将支持GDDR7。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-12 12:15

SK海力士计划扩大存储市场布局，与HLDS共创Super Multi品牌

SK海力士是全球主要的半导体企业之一，也是存储器市场除了三星以外最大的制造商。与三星不同，SK海力士更多地关注存储芯片的生产，自家旗下的产品也主要以商用领域为主导，消费领域相对来说资源投入较少。不过近年来，SK海力士也开始在消费端发力，比如Platinum P41系列SSD就获得了不错的市场口碑。

吕嘉俭 | 发布于2024-06-07 14:31

SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶，三星也有同样的考虑

此前有报道称，SK海力士正在准备第六代10nm级别的1cnm工艺的DRAM产品，已经制定了对应的客户认证及生产计划，打算在2024年第三季度量产。相比于现有第五代10nm级别的1β (b) nm工艺，在同样采用EUV光刻技术的情况下，每片晶圆可生产更多数量的芯片，并实现更高的功率效率。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-30 16:20

SK海力士希望进一步提升HBM4E性能：将集成计算和缓存功能

为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-29 17:28

三星和SK海力士将停产DDR3，或带动价格上涨最高20%

过去两年多里，业界从DDR4内存向DDR5内存过渡，后者占据着越来越大的市场份额。此外，DDR3内存的市场需求量也进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。特别是过去一年多存储器市场经历低迷，供应商普遍减少了DDR3内存的生产，并借此机会降低了库存水平。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-15 15:07

SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发

为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。