与PCIe 3.0相比，PCIe 4.0的理论带宽翻倍，现阶段主流PCIe 4.0 SSD的展示品的持续读写速度均在4 GB/s以上，而技嘉更是使用“黑科技”，把几块PCIe 4.0 SSD组成Raid阵列，AIC版的持续读写速度达到15000MB/s。未来几个月，我们将可以见到更多的支持PCIe 4.0标准的产品，比如慧荣（Silicon Motion）的新款SSD主控。

慧荣是一家开发和生产NAND闪存主控的供应商，近年来，慧荣已经在固态硬盘主控市场占据了一席之地，提供面向高端用户的SM2262EN、面向主流消费平台的SM2263XT / SM2263G、以及面向入门级3D QLC平台的SM2263EN等型号。

目前，慧荣旗下的PCIe 4.0 SSD主控SM2267G正处于开发的最后阶段，在不久的将来就会正式面世，且威刚已经在2019台北电脑展上展示了原型产品。

图源：AnandTech

慧荣等厂商预计2020年第二季度会是PCIe 4.0 x4 SSD的真正爆发期，正好与下一代主流消费级PC平台的推出时间相吻合。

而慧荣推出的第一代PCIe 4.0 x4 SSD主控，显然会带来一些显著的改进，比如性能优化，与新型3D NAND闪存的兼容性，以及提升储存设备的耐久性。

目前慧荣并未透露其PCIe 4.0 x4 SSD主控的功能和确切规格，而2020年1月初会有一个展会：2020美国消费电子展（CES），届时应该会有更多的信息发布，敬请期待。

慧荣SM2271是一款8通道企业级闪存控制器，不过是SATA 6Gbps接口的，支持3D TLC和QLC闪存，最大容量16TB，连续读写速度为540/520 MB/s，可为读取密集型工作负载提供很好的性能，用较低的成本就可以维护升级现有的SATA存储系统。

SM2271具备先进的闪存管理算法和数据完整性保护，可确保SSD的可靠性和耐久度，它支持端到端数据路径保护和SRAM/DRAM的ECC，高级数据处理器固件/软件可保护数据的完整性，还有慧荣自己开发的第六代NANDXtend技术，支持AES-256和TCG Opal加密。

和普通的消费级SSD相比，SM2271可提供更加一致的IOPS和可预测的QoS延迟，使得各个SSD之间的延迟更为一致，以实现更为可靠的数据写入和读取操作，它旨在取代企业存储、数据中心和工业存储系统中的各种HDD，慧荣可以提供完整的SSD的设计和固件，最大限度的减少用户的开发时间和投入。

相比ARM指令集，RISC-V的历史很短，2010年诞生于加州大学伯克利分校，当时的Krste Asanovic教授希望寻找一个合适的CPU指令架构，但X86架构复杂臃肿、ARM架构需要授权费、开源的OpenRISC架构又太老旧了，所以他最终决定自己做个开源CPU架构，在2015年最终成立了RISC-V基金会，专门推动RISC-V发展，现在的RISC-V基金会成员也扩大到了80多人，包括Google、HP、西数等公司都开始支持RISC-V架构。

西数目前的SSD及HDD硬盘主控芯片多是Marvell提供的，芯片内核是ARM的Coretex系列，但是西数    去年就公布过RISC-V路线图，未来会在这些领域用RISC-V架构的处理器取代ARM处理器，西数每年大约使用10亿颗芯片，未来这些芯片都会从ARM转向RISC-V体系。

西数现在推出的是SweRV SSD主控芯片，双向超标量设计，32位9级流水线内核，运行速度为4.9 CoreMarks/MHz，基于28nm工艺，频率1.8GHz。除了闪存主控、SSD等领域之外，SweRV还会用于物联网、工控、安全处理器等领域。

西数还把SweRV芯片开源了，标准及OmniXtend架构的详细情况可以了解下列地址。

OmniXtend：https：//github.com/westerndigitalcorporation/omnixtendSweRV ISS：https：//github.com/westerndigitalcorporation/swerv-ISS

第二个重点产品是存储适配器，也就是RAID主控，虽然博通没有提供具体产品型号及细节，不过博通表示该产品是首款三模SerDes主控，支持NVMe、SAS、SATA模式。与前代产品相比，延迟降低了50%，吞吐量提升了60%。

目前这款三模RAID主控已经正式出样。

此外，在定制SSD主控方面，博通也推出了最新套装，集成了NVMe协议、PCIe控制器以及SerDes物理层，达到了了业界广泛支持的功耗管理、可配置及性能水平。

博通还表示会针对PCIe 4.0 NVMe产品继续开发新一代主控，将使用FinFET工艺。

据国科微电子表示，目前他们已经掌握SATA/PCI-E等高速接口技术、高性能嵌入式CPU技术、高性能纠错算法以及RAID、加密、数据压缩恢复等多项与数据存储相关的核心技术，并将其运用在旗下首款SSD主控GK2101芯片上，可以满足客户对高性能、高可靠性存储设备的要求，同时具备成本优势，在消费级市场有一定的竞争力。

不过国科微电子暂未公布GK2101主控的具体性能参数，仅表示芯片已经完成样品测试，预计会在今年第一季度实现规模化量产。同时国科微电子强调，他们不仅会在固态硬盘主控领域发力，未来还会进一步进军闪存阵列领域，并在移动设备市场推出自己的eMMC解决方案。

低端SSD主控不支持DRAM或者支持较少的DRAM缓存多是出于成本控制，顺便也能降低点功耗，不过代价则是性能比配DRAM缓存的主控要差。Marvell的88NV1140主控就支持一个绝活——NVMe 1.2中的HMB功能，而HMB可以让缓存较少的SSD使用主机内存以提升性能，达到那些配备嵌入式DRAM缓存的SSD性能水平，但同时更省成本，也能节能。

除此之外，88NV1140主控的其他亮点也不少，它还是首个支持TLC闪存、3D闪存LPDC（low-density parity check，低密度校验）。用于移动计算解决方案的NVMe SSD主控，可以为平板、Chromebook、2合1设备等平台带来无与伦比的性能。

Marvell 88NV1140主控使用了双核ARM Cortex-M5处理器，支持SRAM硬件加速以提升IOPS性能，支持HMB功能，支持15nm TLC及3D闪存的LPDC校验，支持L1.2低功耗管理，采用28nm LP工艺生产。

JMF60F主控的发布新闻本来是8月10日才能发布的，JMicron将在美国圣克拉拉市的FMS国际闪存会议上才宣布这个消息，不过你现在用JMicron、JMF60F这两个关键词搜索一下（别用百度）就能找到官方已经准备好的10日新闻稿。

按JMicron所说，JMF60F主控是为了在计算平台、嵌入式平台取代HDD硬盘而设计的，说白了实际上它就是一款针对入门级市场的低价SSD主控，取代2013年推出的JMF608主控，也不需要DRAM缓存，可以有效降低SSD整体成本。此外，它所用的封装也不是成本更高的BGA而是QFN 10x10。

不过，JMF60F的性能指标还不错，支持的最大容量从之前的128GB提升到256GB，读取速度510MB/s，写入速度300MB/s（这一点跟之前报道中的不同），4K随机读取性能为17500 IOPS，随机写入为26900 IOPS，支持3x/2x nm工艺的SLC闪存以及2x、1x、1y、1z、3D技术的MLC闪存，支持ONFI 3.0、Toggle 2.0接口的NAND闪存，同时提升了ECC检验能力，从之前的1KB 40bit提升到1KB 72bit，提高了可靠性。

这颗新主控的名字与原定的有些许不同，现在是叫JetExpress，原生支持PCI-E 3.0 x4接口，理论双向带宽可达8GB/s，同时还支持SATA 6Gbps、SATA Express、M.2、SFF-8639等多种接口标准以及8-16条ONFI通道和1-2GB DDR3缓存，当然少不了的还有掉电保护了。

在CES 2015大会上，OCZ展出的不仅是JetExpress主控，他们同时也有展示基于JetExpress主控打造的SSD产品。OCZ表示，相应的SSD产品预计在今年第一季季度就可以推出市场，而且所有产品都会使用东芝的闪存芯片，无论在性能还是品质上都是非常优秀的。

新的主控包括88NV1140与88NV1120两款，前者支持PCI-E 3.0 x1总线，后者支持SATA 6Gbps总线，88NV11X0系列与Marvell以往的产品最大的不同就是不需要DRAM外部缓存（其实这个在东芝Q系列SSD上早就实现了，不过那个主控并不是用Marvell的名字），芯片封装尺寸仅8*8mm2，最少仅需两颗芯片就能做成一个SSD，做成M.2 2230的尺寸成为可能。

88NV11X0系列主控均采用ARM Cortex R5双核心架构，使用28nm工艺制作，内建Embedded SRAM来代替外部DRAM，支持ONFI 3.0与Toggle 2.0接口的NAND芯片，为了更好的支持15nm TLC与3D NAND而加入了最新的NANDEdge LDPC校验技术。

Marvell目前还没有公布这款产品的上市时间表。