有分析指出，英伟达此举表明了其朝着定制HBM设计的基础裸片方向迈进，或许会将部分GPU功能集成到基础裸片中，旨在提高HBM和GPU的整体性能。英伟达可能会在2027年上半年首先采用SK海力士供应的标准HBM4E，然后从2027年下半年至2028年期间过渡到自己的定制HBM4E设计。

目前SK海力士以以内部芯片设计主导HBM市场，但是要实现10Gbps以上的I/O速率，需要先进制程节点的支持，比如台积电的12nm或以下的工艺来制造芯片。由于存储器制造商缺乏复杂的基础芯片IP和ASIC设计能力，所以英伟达需要开发专用的HBM基础裸片，利用NVLink Fusion提供更多模块化解决方案，并加强生态系统控制。

有消息人士透露，英伟达会将UCIe接口集成到HBM4中，以实现GPU和CPU直接连接，这么做也将大大增加设计复杂性。最大的受益者可能是台积电，与主要芯片设计公司的密切合作，加上不断改进的制程工艺，使其处于人工智能快速发展的核心地带。

据TomsHardware报道，SK海力士称HBM的需求“稳固且强劲”，预计到2030年，HBM市场的总规模将达到约980亿美元，其中定制HBM市场的价值就有数百亿美元。可以说，SK海力士未来的命运与AI基础设施支出密切相关。

定制HBM设计将成为HBM市场一个关键的差异化因素，虽然AMD和英伟达都已决定在明年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM设计，针对性能或者能效进行调整，但是SK海力士希望不仅仅是GPU巨头，而是有更多的客户不再使用通用产品，而是选择定制HBM。SK海力士将在HBM4上首次提供定制HBM服务，结合封装技术的进步，让买家很难切换供应商，从而改变了这个曾经由价格竞争主导的领域，由技术支撑起利润率。

HBM市场日益增长的需求和高利润率也吸引了三星和美光的关注，两者都在加大投资，并扩张产能。为了提升竞争力，提供更多差异化的产品，SK海力士还选择与闪迪合作，共同制定高带宽闪存（HBF）规范，为下一代AI推理提供突破性的内存容量和性能。

LG的做法是有道理，随着HBM堆叠层数的增加，需要缩小芯片之间的间隙，而混合键合技术可以缩小间隙，满足了需要更多垂直堆叠层数的HBM产品的生产。目前SK海力士采用的是MR-RUF技术，三星和美光则使用了TC NCF技术，这些传统方法在超过16层堆叠时将面临良品率的挑战。

相比之下，混合键合是一种3D集成技术，使用特殊材料填充和连接芯片，不需要凸块。与传统的基于凸块的堆叠相比，具有更低的电阻和电容、更高的密度、更好的热性能、以及更薄的3D堆栈。

传闻三星从第10代V-NAND闪存开始，采用混合键合技术，目标是在2025年下半年开始量产，预计总层数达到420层至430层。三星还打算将混合键合技术扩展到DRAM芯片，引入到第六代HBM产品，也就是HBM4。SK海力士也有类似的打算，不过要等到HBM4E。

据TrendForce报道，2025财年第三财季里，美光的HBM产品销售额增长近50%，为美光带来了创纪录的收入。美光现在有着更高的目标，计划到2025年末将市场份额提高到23%至24%。按照美光的说法，目前已经将HBM拓展到四个主要GPU/ASIC客户，正在大批量交付产品，其中包括了英伟达和AMD，为Blackwell平台和Instinct MI350系列交付12层堆叠HBM3E解决方案。

美光的12层堆叠HBM3E产能正在爬坡当中，量产工作非常顺利，这给予了美光足够的信心，预计今年第四季度能够实现更大批量的出货。同时美光还重申了HBM4路线图，表示已经向多个客户交付了样品，并计划在2026年开始进入批量生产阶段，与客户的产品时间表同步。

除了蓬勃发展的人工智能（AI）产业外，美光还将目光投向了电动汽车和游戏芯片等其他热门市场，希望可以进一步拉动营收增长。根据统计，美光在2025年第一季度的DRAM市场中占据了24.3%的份额，仅次于SK海力士的36%和三星的33.7%。

据了解，HBM的利润是标准DRAM的3到5倍，8层堆叠的HBM3芯片（24GB）售价略高于200美元，而8层堆叠的HBM3E芯片（36GB）售价还要高出许多，接近于400美元，接下来12层堆叠的HBM4芯片甚至可能高于600美元。考虑到HBM产品的高利润，SK海力士更倾向于扩大1bnm DRAM产能，以支持HBM3E和HBM4的出货。

为了满足HBM等新一代DRAM的生产能力，SK海力士在去年将位于韩国忠清北道清州市的M15X定为新的DRAM生产基地，扩充1bnm DRAM生产线。M15X按计划将于2025年11月竣工，当全面投入运营时，可以将SK海力士的HBM产能提高20%至30%。

与SK海力士和美光在HBM4上都选择了1bnm DRAM不同，三星则将赌注压在1cnm DRAM上，从去年末开始扩大投资。

HMB全称是High Bandwidth Memory，也就是“高带宽内存”，是一种基于3D堆栈技术的高性能DRAM，相比于传统内存，提供了极高的数据吞吐量。苹果希望结合移动HBM产品，增强iPhone的人工智能应用处理能力，在不增加功耗或延迟的情况下，提升大型语言模型推理或高级视觉等任务的运行效率。

对于PC用户来说，很早之前就已经接触到采用HBM技术的产品，所以并不陌生。不过不同的是，如果用于智能手机，考虑到需要适配轻薄的机身设计，将面临一些挑战，比如散热等，而且制造成本相比起常用的LPDDR要高得多。

苹果还打算在这款2027年的iPhone机型上配备完全无边框的显示屏，屏幕将环绕设备的四个边缘。此外，苹果可能还会采用纯硅电池，而不是传统的石墨烯电池电池，以提高能量密度。

随着人工智能（AI）的蓬勃发展，带动了相关半导体产品的销售，HBM就是其中之一。目前SK海力士正在向英伟达及全球范围内的其他客户供应12层堆叠的HBM3E，占据了大部分市场份额，而且准备提供HBM4样品。总的来说，SK海力士今年的情况与去年差不多，也是早早地在第一季度就宣布年内HBM产能售罄。

郭鲁正称，Deepseek的普及对用于人工智能的存储芯片需求产生了积极影响，预计市场需求将继续保持旺盛，对HBM产品的需求不会在短时间内下降。由于HBM3E和HBM4采用了相同的DRAM平台，因此SK海力士可以灵活地平衡两者的产能分配。

与此同时，SK海力士还在积极地开发其他用于人工智能的存储芯片，比如SOCAMM，预计AI服务器对其会有很大需求。另外SK海力士还会投入资源到LPCAMM2、UFS 5.0和Compute Express Link（CXL）等，以打造“全栈人工智能存储器企业”。

据Daily Korea报道，有熟悉三星内部事务的消息人士透露，三星今年已经不太可能向英伟达供应HBM3E，包括8层和12层堆叠的产品，预计要等到明年，供货延迟的原因是该公司在芯片性能方面未能满足英伟达的要求。

有消息指出，三星未能通过验证测试向英伟达供应HBM3E，主要原因是SK海力士的HBM3E性能表现太好，使得标准定得非常高。有业内人士推测，SK海力士采用的MR-MUF工艺，比起三星的TC-NCF工艺在HBM3E制造上带来了优势。加上SK海力士的HBM3E更早之前就开始大量向英伟达供货，过去一年多里，拉大了与三星之间的差距，无论是市场占有率还是技术方面。

不过三星2025年仍然是有机会的，毕竟英伟达对HBM产品的需求量极大，多方采购更符合自身利益。上个月英伟达创始人兼CEO黄仁勋在出席香港科技大学的活动时表示，由于产品面临的巨大市场需求，正在加速验证三星提供了8和12层堆叠产品，以便双方尽快开展相关业务。

早在数月前，面对日益增长的市场需求和内存行业的持续复苏，三星选择在其平泽P4工厂建设1cnm工艺的DRAM生产线，目标是在2025年6月开始量产。据TrendForce报道，已开始向Lam Research等合作伙伴订购设备，以便在平泽P4工厂建造1cnm DRAM生产线，预计2025年第一季度开始进行安装，为HBM4量产铺平道路。

其实之前三星就已组装了1cnm工艺的DRAM生产线，不过仅限于试产，而且还取得了不错的进展。如果1cnm DRAM生产线运转良好，且能获得稳定的收益率，那么三星还可能追加额外的投资，进一步扩大产能。1cnm属于第六代10nm级别工艺，电路线宽约为11-12nm，领先于现有第五代10nm级别的1bnm，预计明年开始全面进入商业化生产。

三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺生产基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。三星目前采用10nm工艺生产HBM3E的基础裸片，在新一代HBM4上换成4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。三星希望在HBM4量产上可以追上SK海力士，重新夺回HBM市场的领导地位。

根据TrendForce发布的最新市场报告，受服务器和消费级DRAM内存的合约价上涨带动，三大原厂营收持续增加，三星营收为107亿美元，季增9%，排名维持第一。由于策略性清LPDDR4和DDR4库存，第三季度内存季位元出货量与上季持平。

SK海力士第三季营收增加至89.5亿美元，季增13.1%，排名第二。该公司位元出货量季减1%至3%，反映即使其HBM3e出货扩大放量，仍无法抵销LPDDR4及DDR4出货量下降的影响。排名第三的美光第三季营收为57.8亿美元，季增幅度高达28.3%。由于其服务器内存及HBM3e出货增加，推升位元出货量季增约13%。

台系内存厂本季度营收大减，南亚因为消费级内存销售疲软，出货量减少了20%，停电事件也造成了不小损失，第三季度营业利润从-23.4%进一步增加至-30.8%。华邦电第三季出货量同样因消费级内存需求转弱导致营收比上季度减少8.6%。力积电如果只计算自家生成的消费级内存的话，季度减少了27.6%，如果把他们代工的营收算进来的话则变成季度增长18%。

展望2024年第四季，预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。

据TrendForce报道，近日黄仁勋在出席香港科技大学的活动时，接受了媒体的采访，澄清了英伟达对三星HBM3E芯片的持续评估，表示由于产品面临的巨大市场需求，正在加速验证三星提供了8和12层堆叠产品，以便双方尽快开展相关业务。

上个月初，三星罕见地向投资者致歉，并警告其第三季度净利润可能低于市场预期，原因是关键客户的AI芯片业务延迟对业绩产生了负面影响，承认HBM3E向主要客户供应的时间晚于预期。虽然三星没有没有点出这位关键客户的名字，但是市场普遍认为就是英伟达。在后来的季度财报电话会议上，三星还特意强调了满足HBM客户需求的重要性，并确认8和12层堆叠的HBM3E芯片已进入量产阶段，对第四季度的销售增长表示乐观。

竞争对手SK海力士几乎垄断了英伟达HBM产品供应，双方保持牢固的合作伙伴关系，随着AI芯片市场需求持续增长，这种独家供应商的地位为SK海力士带来了巨大的利润。美光之前已开始向英伟达供应HBM3E芯片，逐渐提升了市场占有率。美光之前已开始向英伟达供应HBM3E芯片，逐渐提升了市场占有率，显然三星也想尽快加入，从中分一杯羹。

据TrendForce报道，目前的12层堆叠HBM3E和HBM4上，延续使用了Advanced MR-MUF及TC-NCF堆叠架构，到了16层堆叠HBM4和HBM4E，虽然可以选择Hybrid Bonding，但是由于没有明显优势，所以现阶段存储器厂商都还没有做最后的决定，不过从堆叠高度限制、IO密度、散热等方面要求考虑，20层堆叠HBM5使用Hybrid Bonding没有太大疑问。

如果存储器厂商选择在16层堆叠HBM4开始采用Hybrid Bonding，可以更早地经历堆叠技术的学习曲线，更好地确保后续的16层堆叠HBM4E和20层堆叠HBM5顺利量产。不过即便想尽早地引入Hybrid Bonding，还需要面对诸多挑战，比如购买新设备、挤占其他产线的需求等，另外还要克服现阶段还存在的微粒控制等技术问题，可能导致需要更多的投资。此外，由于Hybrid Bonding需以Wafer to Wafer模式堆叠，若前端生产良品率过低，整体生产良品率将不具备经济效益。

有分析指出，Hybrid Bonding可能导致HBM的商业模式出现变化。使用Wafer to Wafer模式堆叠需确保HBM基础芯片和内存颗粒的尺寸完全一致，因此同时提供GPU/ASIC和基础芯片制造的台积电，可能要承担起堆叠重任，势必导致整个HBM生产各个环节的产业地位发生变化。

据TrendForce报道，台积电宣布与三星达成协议，共同开发HBM4，这将是双方首次在人工智能（AI）芯片领域展开合作。也就是说，三星与SK海力士一样，在HBM4时代做出了类似的选择。三星曾表示，为了在HBM领域取得进展，正在与各个代工厂合作，准备了20多种定制解决方案。

据了解，台积电与三星合作的是“无缓冲HBM4”，属于HBM4的一种特殊版本，取消了用于分配电压和防止电气问题的缓冲器。与现有型号相比，这一设计预计将提高40%的功率效率，减少10%的延迟。与之前的HBM产品不同，充当HBM大脑的逻辑芯片可以由其他代工厂生产，而不再局限于存储器制造商。

虽然三星可以提供包括存储器生产、芯片代工、以及先进封装在内的全方位服务，满足客户在HBM4上的相关服务，但是通过与台积电的合作，可以利用对方的技术吸引更多客户。传闻三星还有另外一层考虑因素，就是整合英伟达和谷歌等大客户的定制要求。

按照三星的计划，将在年底前流片HBM4，为2025年底大规模生产奠定基础。三星的HBM4为12层垂直堆叠，打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并采用1cnm工艺制造DRAM芯片。

据Wccftech报道，SK海力士副总裁Ryu Seong-su在一次活动上透露，正在努力通过推出高端下一代HBM内存产品来快速创新该领域。SK海力士计划进一步完善AI价值链，目标是开发一种新的HBM，性能大约是当前产品的20至30倍，以在竞争激烈的HBM市场中获得领先地位。

此外，SK海力士还会将重点放在产品差异化上。不过SK海力士并没有透露具体是什么类型的HBM，或者具体是什么样的产品。

为应对用于人工智能市场需求的大幅增长，此前SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。

为了将HBM产品的性能提升到一个新的水平，传闻SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。SK海力士称，已经得到了人工智能市场主要科技公司的极大兴趣，包括苹果、微软、英伟达和谷歌等，未来将满足客户的定制要求。