2024年第四季度PC OEM在终端销售疲弱，DRAM价格反转下跌的情况下，加速DRAM库存去化力道，该情形也将延续至2025年第一季度，预计PC DRAM价格跌幅为8至13%。Server DRAM方面，同样受淡季因素影响，加上原厂大幅转移DDR4产能至DDR5，加上少数HBM产能转至DDR5，使得DDR5的供应增加，卖方只能降价求售，使得价格走弱，预计跌幅为5至10%。

Mobile DRAM价格降幅收敛，不过仍有3至8%。Graphics DRAM整体需求仍较平淡，主要需求动力来自于GDDR7备货，预计平均季减5%至10%。Consumer DRAM价格于2024年第四季度开始反转向下，买方预期后续将持续下跌，预计降幅为10%至15%。

2025年第一季度市场步入传统淡季，PC市场虽然有Windows 10停止支持和新款CPU推出等有利因素影响，但AI PC应用尚未成熟，上半年上游供应链首要任务仍是消化既有Client SSD库存，在需求疲软和库存压力双重作用下，预计Client SSD合约价将按季度减少13%至18%。2025年Enterprise SSD受AI和存储应用带动，预计全年需求将持续成长，但第一季度采购量仍会受淡季影响下滑，预计降幅为5%至10%。

eMMC产品部分，预期2025年第一季智能手机厂商将着重消化库存，并倾向采购价格较低的模组厂产品，加上其他因素导致需求受到压制，预计将按季度减少13%至18%。2025年第一季仅对特定规格的NAND Flash Wafer有少量需求，在模组厂采购意愿低、原厂间竞争加剧的状况下，预计降幅为13%至18%。

据TrendForce报道，近期的调查显示，三星和SK海力士都下调了2024年第四季度的收益指引，原因是DRAM行业需求疲软。

其中三星在2024年第四季度的营业利润预计将降至8.58万亿韩元，比起原先预期的9.77万亿韩元减少了超过1万亿韩元，问题在于智能手机和PC等传统产品需求持续低迷，导致核心DRAM业务盈利能力下降。得益于HBM产品大卖，SK海力士保持了增长的势头，2024年第四季度的营业利润预计为7.77万亿韩元，环比增长接近11%，但是比起10月和11月时预期的8.11万亿韩元降低了约4%，原因是DRAM价格下跌。

前一段时间美光公布了2025财年第一财季财报，虽然有着不错的收益，但是对于第二财季的业绩展望明显低于的市场预期，导致公司股价在盘后交易中大跌。三星和SK海力士近期面临的情况看起来也印证了美光对市场前景的黯淡预测，DRAM的寒冬似乎即将到来。

根据TrendForce发布的最新市场报告，受服务器和消费级DRAM内存的合约价上涨带动，三大原厂营收持续增加，三星营收为107亿美元，季增9%，排名维持第一。由于策略性清LPDDR4和DDR4库存，第三季度内存季位元出货量与上季持平。

SK海力士第三季营收增加至89.5亿美元，季增13.1%，排名第二。该公司位元出货量季减1%至3%，反映即使其HBM3e出货扩大放量，仍无法抵销LPDDR4及DDR4出货量下降的影响。排名第三的美光第三季营收为57.8亿美元，季增幅度高达28.3%。由于其服务器内存及HBM3e出货增加，推升位元出货量季增约13%。

台系内存厂本季度营收大减，南亚因为消费级内存销售疲软，出货量减少了20%，停电事件也造成了不小损失，第三季度营业利润从-23.4%进一步增加至-30.8%。华邦电第三季出货量同样因消费级内存需求转弱导致营收比上季度减少8.6%。力积电如果只计算自家生成的消费级内存的话，季度减少了27.6%，如果把他们代工的营收算进来的话则变成季度增长18%。

展望2024年第四季，预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。

在这市场背景下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，2024年第二季价格较第一季下跌超过了30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。根据统计数据显示，2024年第二季消费类NAND Flash零售渠道的出货量已大幅年减40%，反映了全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。虽然存储器产业一向受到周期性因素影响，但今年上半年的下滑幅度明显超出了市场预期，预示这下半年的需求很难出现大幅度好转。

通货膨胀和利率飙升等因素冲击消费者支出意愿，也间接导致消费类存储器模组的出货量下降。同时晶圆价格持续上涨，使得使得模组厂的营运成本大幅增加。如果终端产品要调低价格吸引消费者，在成本增加的情况下，必然会进一步压缩厂商的利润空间。

由于未来市况不明朗，无论AI手机还是AI PC都不一定能带起全面换机潮，很可能无法带动DRAM价格。结合2025年的预期来看，DRAM价格即便上涨，更多的是来自于HBM3E等高附加值产品的带动，以及产能的限制，从而抬升了均价。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。

作为业界第一大厂，三星的DRAM营收按季度增长22%，至98.2亿美元，不过市场占有率下滑了1个百分点至42.9%，平均销售价格（ASP）按季度增长17%至19%，位元出货量按季也有小幅度增长；SK海力士的DRAM营收为79.1亿美元，按季度大幅度增长了38.7%，市场占有率也大幅提高了3.4个百分点至34.5%，HBM3E产品通过认证并实现量产，带动位元出货季增超过20%；美光的DRAM营收按季度也有不错的涨幅，增长了14.1%，至45亿美元，位元出货量季增达15%至16%，不过由于积极低价销售旧款DDR5库存，使得整体表现落后于两大竞争对手，市场占有率下滑1.9个百分点至19.6%。

TrendForce表示，根据原厂在2024年7月与各大客户签订的第三季度合约价来看，涨幅都高于预期，预计最终将达到8%至13%，比原先的预期高出了5个百分点。此外，服务器的需求推动了Server DRAM的价格上涨，加上HBM的生产比重加大，预计未来几个季度DRAM价格都难以回落。

TrendForce预计，DRAM均价在2024年将增长53%，到2025年还将增长35%，从而推动DRAM产业营收分别达到907亿美元和1365亿美元。推动DRAM产业营收增长有四项因素，包括：HBM的崛起，预计2024年将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%；DRAM的正常迭代；原厂缩减资本支出和产能的分配；服务器需求的复苏。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。预计DDR5将分别贡献2024、2025年Server DRAM位元出货量40%和60-65%，LPDDR5/5X则会贡献2024、2025年Mobile DRAM位元出货量的50%和60%。

NAND闪存方面，2024/2025年产业营收将分别达到674亿美元和870亿美元。企业级大容量QLC SSD的崛起、智能手机采用QLC UFS存储、原厂缩减资本支出和产能的分配、以及服务器需求的复苏都推动了NAND闪存产业营收的增长。其中QLC将贡献2024年NAND闪存位元出货量20%，2025年的比重会进一步提升。此外，QLC也将逐步渗透到智能手机，今年第四季度起部分厂商会启用对应的方案，苹果预计2026年开始导入到iPhone。

随着存储器产业营收创下新高，制造商将有足够的现金加速投资，预计2025年DRAM和NAND闪存产业的资本支出将分别增长25%和10%。同时也会带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，存储器的成本将不可避免地上涨。对于ODM/OEM厂商来说，这种价格上涨不一定能完全反映在产品零售价格上，利润有可能被压缩，导致终端销量受到影响、需求下滑。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在与投资者和金融分析师的电话会议上表示，虽然美光在EUV光刻设备的使用上稍微落后于三星和SK海力士，但是加入EUV技术的1γ工艺DRAM芯片试生产进展顺利，有望在2025年实现量产。

美光对1γ工艺的DRAM芯片寄予厚望，希望能借助EUV技术构建业界最小的DRAM单元，制造出业内最便宜且更节能的存储产品，这可以让其在存储芯片的竞争中获得优势。目前试产工作正在美光位于日本广岛的工厂中进行，作为试产计划的一部分，首批采用1γ 工艺的存储产品也会在这里制造。至于使用EUV光刻设备后对美光DRAM芯片的性能有多大影响，还有待观察。

事实上，美光使用ASML的EUV光刻机已经有一段时间了。美光一直测试这些工具，以EUV替代1α和1β工艺上部分使用DUV的环节，并逐步进行调整，以提升良品率。现在美光已积累了足够的经验，开始准备将EUV光刻机投入到大规模生产中。

据了解，2024年第二季度买方补库存意愿渐趋保守，使得供应商和买方库存水平未发生明显变化，智能手机和云服务供应商在第三季度仍有补库存的空间，而且将进入生产旺季，因此很可能带动存储量出货量飙升。

PC DRAM第三季价格预计环比增长3-8%，涨幅低于Server DRAM，相比第二季的涨幅收缩，主要因为PC DRAM库存偏高，消费性需求没有较为明显的改善；Server DRAM第三季价格预计环比增长8-13%，比之前预估的要更高，通用型服务器受惠于旺季备货需求，主要动力在于DDR5，涨势也比DDR4明显；Mobile DRAM第三季价格预计环比增长3-8%，连续涨势使得买方变得谨慎，且目前库存充足，导致议价流程放缓，不排除有再收缩的可能；Graphics DRAM第三季价格预计环比增长3-8%，需求依旧较为平淡，价格主要受到其他DRAM产品的影响，由于GDDR7产量开始提升，将逐渐拉高平均销售价格；Consumer DRAM DDR3&DDR4第三季价格预计环比增长3-8%，有些供过于求，加上HBM产能挤压，涨价意图明显。

展望2024年第四季度，由于智能手机和云服务供应商仍有补库存的需求，加上HBM生产比重不断提升，将支撑价格延续上涨趋势。

据Business Korea报道，SK海力士最近在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，发表了有关3D DRAM技术的最新研究论文。显示SK海力士正在加速3D DRAM的开发，并取得重大新突破，首次披露了3D DRAM开发的具体数量和特性。

SK海力士表示，目前5层堆叠3D DRAM良品率已达56.1%。这意味着单个测试晶圆上可以制造大约1000个3D DRAM单元，其中有561个器件是可用的。SK海力士还透露，实验性的3D DRAM具有与目前使用的2D DRAM相似的特性。不过SK海力士也指出，虽然3D DRAM有着巨大的潜力，但在实现商业化之前仍然需要做大量的开发工作。同时与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要达到32层至192层堆叠的存储单元才能广泛使用。

据了解，三星和美光也在推进3D DRAM的开发。三星已经成功地将3D DRAM堆叠至16层，并计划在2030年实现量产。美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，如果技术能够取得突破，可以生产出比现有产品更好的DRAM，而且不需要使用EUV光刻设备。

现阶段DRAM市场仍然是高度集中，三星、SK海力士和美光等主要参与者共同占据了全球市场份额的96%以上。

据博板堂透露，三星的SSD和内存产品刚刚结束了618的促销活动，接下来第三季度有可能会提高产品价格，预期分别为：

SSD - 涨价15%

DDR4 - 涨价10%

DDR5 - 涨价15%

eMMC - 涨幅暂时还不清楚

作为全球最大的芯片制造商之一，半导体业务一直是三星摇钱树。不过2023年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重，连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争，甚至陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑，最终三星不得不通过减产等手段，将管理重点放在了盈利能力上。经过长时间的挣扎后，三星的DRAM和NAND闪存业务进入2024年后终于看到了曙光，今年1月的月度财报里显示已实现了盈利。

虽然市场需求逐渐疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面都面临重大挑战，加上存储器制造商开始停止减产，业界预计价格短期内不会提升，但是三星似乎依然坚定地继续提高内存和SSD产品的价格。

据The Elec报道，随着三星和SK海力士都已确认，在即将到来的3D DRAM上加入混合键合技术。前者初步计划在2025年推出3D DRAM芯片，后者还没有确定具体实施的时间。目前三星和SK海力士使用了微凸块来连接DRAM模块，但混合键合可以通过使用硅通孔（TSV）垂直堆叠芯片，以消除对微凸块的需求，从而显着减少芯片厚度。

3D DRAM是DRAM的未来概念，也就是DRAM单元垂直堆叠，是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式，就像今天的NAND单元垂直堆叠一样。3D DRAM不是简单地将2D DRAM组件放在一侧，然后将其堆叠在一起，重新设计的DRAM架构可以层层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术。

3D DRAM设计重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。通过垂直堆叠单元，3D DRAM芯片将单位面积的容量增加三倍，而当前的HBM是垂直连接多个DRAM芯片，两者是不一样的。

此外，三星还在探索4F Square DRAM，并计划将混合键合集成到生产过程中。与目前已经商业化的6F Square DRAM相比，可将芯片表面积减少30%。传闻三星打算推进到10nm或更先进的工艺时，在DRAM中引入新结构。

作为业界第一大厂，三星的DRAM营收按季度增长1.3%，至80.5亿美元，市场占有率下滑1.6个百分点至43.9%，平均销售价格（ASP）按季度增长20%，抵消了位元出货量的中个位数季减幅度；SK海力士的DRAM营收为57亿美元，按季度增长了2.6%，市场占有率下滑0.7个百分点至31.1%；美光的DRAM营收按季度有较大幅度的增长，达到了17.8%，至39.5亿美元，市场占有率上升2.3个百分点至21.5%，平均销售价格按季度增长23%。

南亚科技在价格回升所带动的备货动能，以及客户端DRAM销售动能回升较缓等需求消长影响下，出货量和平均销售价格都有所增长，DRAM营收按季度增长10.5%至3.02亿美元；华邦还没有调整合约价，由于客户提前备货，带动DRAM营收按季度增长21.6%至1.62亿美元；力积电的营收计算主要来自自身生产的客户端DRAM，不包含代工，最终DRAM营收为0.28亿美元，按季度减少了28.2%。

TrendForce表示，2024年第二季度即便消费性需求减少，原厂的出货位元数仍将反映季节效应而出现季度增长，而且涨幅有可能会高于预期，预计合约价将上涨13-18%。

由于除人工智能（AI）以外的终端需求不振，特别是笔记本电脑和智能手机需求上还没有复苏迹象，结合连续数个季度涨价及库存因素影响，两个月前TrendForce给出的DRAM合约价季涨幅为3~8%、NAND闪存为13~18%的预测数字。不过随着上个月中国台湾发生地震，出于特殊因素考虑，以PC OEM厂商为首的买房接受了DRAM和NAND闪存的合约价格上涨，一定程度上反映了供需两端对市场接下来走势的考量。

TrendForce表示，随着人工智能对HBM产品的需求越来越高，加上比传统DRAM高出数倍的价格（约为DDR5的五倍），存储器供应商逐步将产能更多地分配给HBM，进一步排挤了传统DRAM的产能。即便如此，HBM产品的供应可能从第三季度起会出现短缺。

随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，加上北美客户扩大存储产品的订单，带动企业级QLC SSD的需求攀升，不过暂时仅Solidigm和三星有经过验证的该类产品。不少云端服务商都打算扩大企业级QLC SSD的采购，作为新的存储解决方案，一定程度上加速了部分供应商的去库存操作，也让部分供应商出现了惜售心态。受制于消费产品市场需求前景不明，存储器供应商普遍对产能支出趋于保守。

Robert Dennard于1932年9月5日出生在美国德克萨斯州的特雷尔，在一个没有通电的农场长大。由于在圆号演奏方面的天赋，让Robert Dennard赢得了达拉斯南方卫理公会大学的奖学金，在那里获得了电机工程学士，并于1956年取得了硕士学位。随后Robert Dennard进入卡内基技术学院（卡内基梅隆大学的前身）攻读电气工程博士学位，于1958年获得了博士学位。毕业后，进入IBM工作，担任研究员，在那里度过了漫长而传奇的职业生涯。

在上世纪60年代，集成电路是一种令人兴奋的新鲜事物，而业界的主要焦点是推进计算机内存和逻辑，Robert Dennard投身到研究MOSFET的设计和应用当中。Robert Dennard与团队成员在1964年开发了一种替代系统，只需6个MOS晶体管就可以存储1bit信息，不过对于这样的设计仍然觉得过于复杂且缓慢。后来Robert Dennard在脑海里闪出了新的想法，彻底改变了计算机行业，经过不懈努力终于在1968年发明了DRAM，并获得了专利。

Robert Dennard并没有止步于此，1972年又带来了新的理论，使得电子设备变得更小、更快、更高效，后来这一理论被称为“MOSFET微缩方程式”，即登纳德缩放比例定律，对摩尔定律进行了补充。因此Robert Dennard获得了众多奖项，包括在2019年由IEEE（电气与电子工程师协会）授予了罗伯特·N·诺伊斯奖（Robert N. Noyce Medal），这也是半导体行业的最高荣誉。

Robert Dennard的追悼会定于美国东部时间2024年6月7日下午1点举行，地点位于纽约州约克城高地。