近日，三星发出了2024年第二季度财报的盈利指引，显示合并销售额约74万亿韩元（约合人民币3907.2亿元），高于2024年第一季度的71.92万亿韩元和2023年第二季度的60.01万亿韩元，另外合并营业利润约10.4万亿韩元（约合人民币549.12亿元），也高于2024年第一季度的6.61万亿韩元和2023年第二季度的0.67万亿韩元，大幅度超出了市场的预期。

显然三星受益于全球人工智能（AI）市场的快速增长，以及存储器需求的反弹，这很可能是过去数年里三星最为强劲的销售额与营业利润增长。其中销售额同比增长了23.31%，已连续两个季度保持在70万亿韩元以上。营业利润同比暴增1452%，大幅高出8.55万亿韩元的市场平均预期，也是继2022年第三季度（10.85万亿韩元）之后。再次单季度营业利润超过10万亿韩元，甚至比2023年全年6.57万亿韩元的营业利润还要高。

本月31日，三星将正式公布2024年第二季度财报，届时可以了解更为详尽的业绩报告。

据TrendForce报道，三星已经成立了新的“HBM开发团队”，将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作，以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队，甚至还成立了特别工作组，而这次组织架构的改组进一步做了加强。

三星希望能够加快HBM产品的开发进度，抢夺高附加值DRAM市场。早在今年2月，三星就宣布完成了HBM3E 12H DRAM的开发，并在4月量产了HBM3E 8H DRAM。三星从去年开始，就提供了HBM3E给英伟达进行验证，包括了8层和12层堆叠的产品，但是一直没有通过，预计第三季度末能够部分完成验证工作。

此前三星还发表了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。之前还有传言称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。

三星表示，BM1743比起BM1733在性能上也实现了翻倍的提升，提供的最大顺序读取/写入速度分别为7200 MB/s和2000 MB/s，最大随机读写分别为1600K IOPS和110K IOPS，适合应付读密集型工作负载。以四级单元（QLC）更高存储密度的同时，带来了接近于三级单元（TLC）性能水平，为数据中心提供了强大的解决方案。

BM1743可选两种外形规格，分别是U.2和E3.S。前者支持PCIe 4.0接口，容量可达61.44TB，并拥有扩展至122.88TB的潜力；后者支持PCIe 5.0接口，进一步提升了性能。相比之下，BM1733仅支持PCIe 3.0接口。在可靠性方面，BM1743为0.26DWPD，断电数据保持时间为3个月，而BM1733这两项分别为0.18DWPD和1个月。

过去一段时间里，随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，带动了企业级QLC SSD的需求攀升，其中更为积极的Solidigm受益最多。三星希望BM1743能够与Solidigm去年发布的D5-P5430展开直接竞争，降低数据中心的TCO成本。

据Business Korea报道，近期三星调整了半导体领域的开发计划，将以人工智能芯片为战略核心，同时放缓汽车半导体项目的开发速度，这将对三星未来的芯片战略产生重大影响。

三星正在进行业务和组织结构调整，对开发中的下一代Exynos Auto系列车用处理器（代号KITT3）重新做评估。原有开发团队里的部分工程师已被重新分配到人工智能SoC团队，这是现阶段三星芯片开发的重点，集中了100到150名专业的芯片设计人员。

三星在2018年推出了“Exynos Auto”品牌，开始进军高性能汽车半导体市场。去年三星推出了Exynos Auto V920芯片，这是其面向新型车载信息娱乐（IVI）系统推出的第三代汽车芯片，并与现代汽车展开合作，将芯片搭载到后者2025年的新车型里。除了各种车用芯片外，三星还针对汽车半导体市场推出了针对性的存储解决方案和半导体工艺。

有三星内部人士透露，将重点转向人工智能芯片开发是明确的，但目前还没有确定组织结构调整的具体内容。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

今年三星将带来Galaxy Tab S10系列，看起来似乎要做一些改变，不再遵循过去的做法。据Sammobile报道，Galaxy Tab S10系列仅提供Plus和Ultra版，三星选择放弃了基本型号，更准确来说，是提供了12.4英寸和14.9英寸两种不同尺寸的产品，传闻是为了对标苹果前一段时间发布的OLED版新款iPad Pro。

对于消费者来说，更希望价格成为差异化因素，但三星近期明确表示，不再专注于仅仅依靠比苹果更具竞争力的价格来赢得客户。话虽如此，从近期传出正在测试搭载联发科天玑9300+的Galaxy Tab S10+来看，三星并没有完全忽视成本的削减，毕竟高通第三代骁龙8移动平台的定价高于去年第二代产品，对三星的成本控制造成了压力。

近年来，三星在旗舰平板电脑上都采取了骁龙芯片独占的策略，今年Galaxy Tab S10系列或许与Galaxy S24系列的情况类似，只有Ultra型号如此。虽然三星已经发出公告，将于北京时间2024年7月10日晚上9点举行Galaxy Unpacked 2024全球发布会，但是Galaxy Tab S10系列应该不会出现，要再等一段时间才会亮相。

ISOCELL HP9是业界首款用于智能手机的2亿像素长焦传感器，采用1/1.4英寸的光学规格，内置了2亿个0.56微米（μm）大小的像素。三星独有的高折射率微透镜采用了新材料，使其能够将更多光线精准地导向相应的RGB滤色片，从而显著提升了感光能力。与上一代产品相比，HP9的感光度提高了12%（基于信噪比 10），自动对焦对比度性能提高了10%。

为了解决传统长焦普遍面临的弱光环境下难题，三星利用Tetra²pixel技术将16个像素（4x4）合并到一个1200万像素、2.24μm尺寸的大传感器中，即使在黑暗环境中也能拍摄出更清晰的人像照片，并创造出引人注目的焦外虚化效果。

ISOCELL GNJ是一款双像素传感器，拥有5000万1.0微米（μm）像素，光学格式为1/1.57英寸。其允许每个像素容纳两个光电二极管，从而实现快速准确的自动对焦（类似于人眼对焦的方式），同时捕捉全彩信息，从而实现快速对焦并保持图像质量。

GNJ将双像素技术与传感器内变焦功能相结合，在视频模式下可提供更清晰的画面，在照片模式下提供无伪影或摩尔纹的高分辨率图像。新改进的高透光率抗折射层（ARL）与三星专有的高折射微透镜相结合，提高了透光率，减少了不必要的反射，确保了暗部不会过度增亮，并更好地保留图像细节，从而获得更准确的照片。

ISOCELL JN5采用1/2.76英寸光学格式，拥有5000万0.64微米（μm）像素。其采用双垂直传输门（Dual VTG）技术，支持超级四相位检测（Super QPD）自动对焦技术，并通过双斜率增益（DSG）技术来增强高动态范围（HDR）。JN5的超薄光学格式使其具有很强的通用性，可用于主摄像头和副摄像头，包括广角、超广角、前置和长焦摄像头，确保从不同角度都能获得一致的拍照体验。

据Wccftech报道，Galaxy S25系列使用联发科的SoC进行测试，不过暂时还不清楚是哪一款SoC，有可能是天玑9400。考虑到近期有传言称，三星可能会为Galaxy Tab S10系列配备天玑9300+，说明切换到联发科的解决方案是有可行性的。与平板电脑遇到的情况类似，三星可能是因为高通的定价问题寻求替代品。

三星原本打算在Galaxy S25系列上维持双平台的策略，分别提供第四代骁龙8和Exynos 2500版本，可惜自家的SoC有点不太争气。当然，三星可以选择全部采用高通提供的解决方案，但随着骁龙系列旗舰SoC的定价不断提高，使得三星越来越难控制高端智能手机的利润率。高通早已暗示，第四代骁龙8会比第三代骁龙8更贵，这意味着全平台采用高通芯片的情况下，三星想维持定价及利润率，要不在其他配置上做出妥协，要不只能继续提高新产品的定价。

虽然第四代骁龙8与天玑9400大概率都采用相同的半导体工艺，也就是台积电（TSMC）的N3E，但是有更多证据表明，联发科提供的报价低于高通。对于联发科来说，这是一个难得的机会，证明自己的高端SoC能与高通同类产品相媲美。联发科可能还会提供更多的折扣优惠，以便与三星建立长期合作伙伴关系。

由于今年恰逢巴黎举办夏季奥林匹克运动会，举办的时间距离开幕式大概两周的时间，三星是主要赞助商之一，因此无论时间还是地点都是为了让三星更好地宣传新产品。据了解，三星将在奥运会开幕式上使用Galaxy S24 Ultra，借助首个独立5G网络，独家直播奥运会开幕式，这次活动可能会让数百万游客有机会体验最新的设备和人工智能技术。

Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6两款折叠屏手机显然是Galaxy Unpacked 2024全球发布会的重点，邀请函上的折叠设计已经暗示了主角，似乎新机型会引入新的设计语言，边框变得更加锐利，而且可能与新款可穿戴设备相结合，带来不一样的使用体验。预计三星还将突出即将推出的Galaxy AI，为手机带来图像编辑、笔记摘要，甚至为信息生成文本等AI功能。

据博板堂透露，三星的SSD和内存产品刚刚结束了618的促销活动，接下来第三季度有可能会提高产品价格，预期分别为：

SSD - 涨价15%

DDR4 - 涨价10%

DDR5 - 涨价15%

eMMC - 涨幅暂时还不清楚

作为全球最大的芯片制造商之一，半导体业务一直是三星摇钱树。不过2023年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重，连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争，甚至陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑，最终三星不得不通过减产等手段，将管理重点放在了盈利能力上。经过长时间的挣扎后，三星的DRAM和NAND闪存业务进入2024年后终于看到了曙光，今年1月的月度财报里显示已实现了盈利。

虽然市场需求逐渐疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面都面临重大挑战，加上存储器制造商开始停止减产，业界预计价格短期内不会提升，但是三星似乎依然坚定地继续提高内存和SSD产品的价格。

据Notebookcheck报道，三星仍未放弃Exynos 2500，目前正专注于新款SoC的量产工作，想方设法提升量产的良品率。Exynos 2500采用了三星第二代3nm工艺技术，也就是SF3，传闻良品率仅为20%。三星希望经过努力后，在今年10月之前将Exynos 2500的良品率提升至60%的水平，达到量产的标准。

高通计划在今年10月发布第四代骁龙8移动平台，如果Exynos 2500的良品率问题得不到解决，最终三星有可能再次让Galaxy S25系列走上全高通平台的路线，这是三星所不愿看到的。一方面全高通平台几乎必然会导致新产品价格上涨，另一方面三星开发了两款Exynos 2500型号，分别面向智能手机和平板电脑，放弃意味着之前投入的大量时间和资源将会被浪费掉，对开发团队的士气也是严重的打击。

Exynos 2500将是三星首款采用SF3工艺制造的智能手机SoC，按照官方的说法，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。同时Exynos 2500很可能与Exynos 2400一样，选择应用扇出型晶圆级封装（FoWLP），不但减小了封装的尺寸，而且能更好地控制芯片发热，以提供更强的多核性能表现，并延长设备的续航时间。

据Businesskorea报道，三星早在2022年6月就宣布量产3nm GAA工艺，不过初代3nm工艺（SF3E）无论是良品率还是能效，表现都低于预期，仅争取到用于加密货币的芯片等少量订单。三星希望在明年的Galaxy S25系列上维持双平台的策略，提供Exynos 2500版本，改用第二代3nm工艺（SF3），不过从目前情况来看，很可能因良品率问题而取消。

有业内人士指出，三星在3nm制程节点上至今依然被良品率和能效所困扰，虽然注重控制功耗和散热，但是性能比起台积电低了10%至20%。随着人工智能（AI）服务在移动和服务器市场不断扩展，芯片的能效已成为关键因素。大客户之所以在两者之间选择台积电，归根到底还是在先进工艺上提供的芯片能效差异，尽管台积电3nm工艺的生产成本比起5nm工艺提高了25%以上，但最终芯片在性能上的差异还是很明显的。

台积电与三星的晶圆代工市场占有率差距在扩大，根据TrendForce最新的统计数据，三星的市场占有率从2023年第四季度的11.3%降至2024年第一季度的11%，而台积电则从61.2%上升到61.7%。

据The Elec报道，随着三星和SK海力士都已确认，在即将到来的3D DRAM上加入混合键合技术。前者初步计划在2025年推出3D DRAM芯片，后者还没有确定具体实施的时间。目前三星和SK海力士使用了微凸块来连接DRAM模块，但混合键合可以通过使用硅通孔（TSV）垂直堆叠芯片，以消除对微凸块的需求，从而显着减少芯片厚度。

3D DRAM是DRAM的未来概念，也就是DRAM单元垂直堆叠，是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式，就像今天的NAND单元垂直堆叠一样。3D DRAM不是简单地将2D DRAM组件放在一侧，然后将其堆叠在一起，重新设计的DRAM架构可以层层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术。

3D DRAM设计重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。通过垂直堆叠单元，3D DRAM芯片将单位面积的容量增加三倍，而当前的HBM是垂直连接多个DRAM芯片，两者是不一样的。

此外，三星还在探索4F Square DRAM，并计划将混合键合集成到生产过程中。与目前已经商业化的6F Square DRAM相比，可将芯片表面积减少30%。传闻三星打算推进到10nm或更先进的工艺时，在DRAM中引入新结构。

这次是自2012年公开披露该议程项目以来，首个GPU投资决策，引发了外界对三星准备加强其在GPU相关业务领域竞争力的猜测。目前三星与AMD合作，开发用于智能手机SoC的GPU，另一方面，三星还有针对HBM这类存储器的GPU项目，以更好地应对人工智能（AI）计算。此前三星曾推出HBM-PIM（processing-in-memory）芯片，在每个内存模块内注入了一个AI处理器，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。

不过也有分析指出，这是三星的内部战略，目的并不是开发和制造一般的GPU，而是利用GPU技术促进半导体工艺的个性。三星在今年3月的GTC 2024上宣布，将继续与英伟达展开合作，到2030年为全自动半导体工厂开发基于AI的数字孪生技术，从而提高半导体制造效率。此外，三星华城园区还在建造高性能计算（HPC）中心，未来有可能加入三星自研的GPU芯片。

随着三星在GPU项目投入大量资金，表明人工智能及计算在三星的战略中变得越来越重要。

据ETnews报道，三星推迟了泰勒市新建晶圆厂的设备采购订单，要等到2024年第三季度才做出最终决定。随着市场对人工智能（AI）硬件的要求越来越高，三星希望工艺能从4nm升级至2nm，以更好地与台积电（TSMC）及英特尔竞争。

三星将在泰勒市构建一个全面的先进制造生态系统，其中包括两个晶圆厂、一个致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂、以及一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。其中首座晶圆厂计划在2026年投产，第二座晶圆厂则是2027年，研发工厂也会在同年启用。预计未来几年，三星将在德克萨斯州泰勒市奥斯汀和地区投资超过400亿美元，创造至少21500个就业机会。

美国商务部在今年宣布，已经与三星签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片法案》提供约64亿美元的直接拨款。《芯片法案》对三星的补贴规模仅次于英特尔（85亿美元）和台积电（66亿美元），不同的是，三星并没有获得《芯片法案》中的贷款和担保部分，而英特尔和台积电分别得到了110亿美元和55亿美元的贷款。