• 闪存寿命不长?1亿次P/E的NAND要来了

    bolvar 发布于2012-12-03 10:08 / 关键字: IEEE, IEDM, Hang‑Ting Lue, Macronix, NAND

      NAND闪存如今已为消费级、企业级市场广泛接纳,速度快、轻便易携、安静无噪音都是它的优势,不过难言之隐就是NAND的P/E循环次数有限,主流的25nm MLC闪存寿命是3000-5000次,如今20nm级MLC NAND普遍不到3000次,TLC甚至不足1000次。

      工艺越来越先进,NAND存储密度越来越高,由于物理结构的原因其寿命也在降低,为此EMC的专家表示NAND需要新的继任者,明年相变技术的PCM就会出现在市场上,它的速度更快,存储密度更高,最关键的是可靠性也会更高。

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