随着NAND闪存及DRAM内存不断降价，2019年存储芯片市场将迎来一轮熊市。为了应对降价导致的损失，三星、SK
Hynix及美光都计划削减资本支出，不过削减并不意味着他们不再建设芯片工厂了，就在本周三SK
Hynix正式开工建设第七座半导体芯片工厂M16，总投资不低于15万亿韩元（约133亿美元），虽然还没确定最终生产DRAM内存还是NAND闪存芯片，但是这座晶圆厂将会用上最先进的EUV光刻工艺。
今年10月份SK Hynix才刚刚建成最新的M15晶圆厂，这是2015年全球最大的存储芯片工厂M14落成时SK
Hynix宣布的46万亿韩元投资计划中的一部分，M15工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达15万亿韩元，主要生产3D
NAND闪存，初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存。
M15工厂之后就是现在的M16工厂了，本周三也就是19日正式举行开工典礼，预计2020年正式建成，总投资额还没确定，不过也不会低于15万亿韩元，其中基础设施建设就要3.5万亿韩元，战地面积30英亩。这座工厂最终会生产DRAM内存还是NAND闪存都没确定，SK
Hynix表示这要看落成时的市场需求以及工厂的技术水平来决定。
不过有一点可以肯定的，M16工厂将会用上最先进的EUV光刻工艺——存储芯片跟逻辑芯片不同，虽然对EUV光刻工艺的需求没那么高，不过三星、SK
Hynix依然计划在未来使用EUV工艺生产存储芯片，而美光对EUV的态度就比较保守，未来两代的内存芯片依然不会用到EUV光刻工艺。
在韩国之外，SK
Hynix在中国无锡也有DRAM芯片晶圆厂，目前的一期工程产能在10-12万片晶圆/月，是全球重要的DRAM芯片基地之一。今年早些时候SK
Hynix还宣布投资86亿美元在无锡建设第二座内存工厂，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。
