美光希望未来几年继续在HBM和GDDR类内存上努力，此前已推出业界首款带宽超过1.2 TB/s、引脚速度超过9.2 GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，对应的应该就是路线图上显示的HBM3E。美光该款HBM3E将于2024年初到来，预计会在英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB HBM3E芯片，将会在2025年推出。

更大变化的将是HBM4，计划在2026年发布，内存堆栈将采用2048位接口，带宽超过1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之间，推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的产品。到了2028年还会有HBM4E，频率将进一步提升，容量将增加至48GB到64GB，带宽增加至2 TB/s以上。

下一个GDDR版本，也就是GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。预计到2026年末，单个芯片的容量会超过24Gb，速率也会提升至36 Gbps。

美光预计在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率为8800 MT/s，然后在2026年或2027年提供容量超过256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率会攀升至12800 MT/s。同时美光准备推出支持CXL 2.0的内存模块，容量在128GB至256GB，带宽将达到36 GB/s，接下来还有支持CXL 3.x的内存模块，容量超过256GB，带宽超过72 GB/s。

对于低功耗应用，业界将继续使用LPDDR内存。美光速率为8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X将继续使用一段时间，然后从2025年开始提供基于LPDDR设计的LPCAMM2内存，速率为8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬还会有速率为9600 MT/s、容量超过192GB的产品。

过去很长时间里，不少台式机和笔记本电脑通常都是使用LPDDR内存或基于DDR的SO-DIMM。虽然LPDDR结构很紧凑，但封装在主板上，让维修或升级都很困难。另一方面，SO-DIMM的设计很容易更换，不过性能和体积等方面都受到限制。LPCAMM克服了两者的缺点，满足了更高效、更紧凑的要求，同时作为可拆卸模块，提高了PC制造商的灵活性。

LPCAMM的省电特性或许在服务器上变得有吸引力，理论上可以提高总体拥有成本（TCO）的效率，在未来的数据中心和服务器解决方案中有着巨大的潜力。三星内存产品规划组执行副总裁Yongcheol Bae称，随着对高性能、低功耗和制造灵活性等创新内存解决方案的需求不断增长，LPCAMM有望得到广泛应用，三星也会与业界合作探索更多可能。

三星年内将与主要客户一起使用下一代系统进行测试，并计划在2024年实现商业化，