Intel是摩尔定律的提出者，也是最坚决的捍卫者，半导体工艺是他们领先对手的关键，先进的制程工艺不断降低处理器功耗和核心面积，这都会让处理器从中受益。Intel的PPT中指出，竞争对手随工艺提升而带来的核心面积降低的幅度比不上Intel，Intel从32nm、22nm、14nm到10nm节点几乎是直线下降，而竞争对手的工艺在20nm到16nm阶段提升并不明显。

　　回头看整个半导体工艺的发展，不论是更先进的制程工艺启用时间还是尖端技术的量产，Intel都保持领先。SiGE（锗化硅）工艺领先对3.25年启用，HKMG工艺领先对手大约3.75年，Intel在去年的22nm节点就量产了三栅极（3D）晶体管工艺，而TSMC、IBM、三星及GF的FinFET工艺要到2015年才能量产，落后Intel三年半时间。

　　在3D晶体管工艺上，Intel走在了其他半导体公司前面，从Ivy Bridge处理器开始已经大规模量产22nm 3D晶体管工艺，通用平台技术联盟的三星、TSMC以及GlobalFoundries还要等两三年才能开始应用3D晶体管工艺。

　　传统的微电路主要是基于金属氧化物场效应管（MOSFET），最近几年研究的3D晶体管则是基于“Fin”鳍片式场效应管，Intel的3D晶体管示意图中就突出的那一片就叫“Fin”，它有三个接触面，也就是Tri-Game三栅极的由来。

　　3D晶体管工艺的一大难点是使用什么样的材料，普通的CMOS金属氧化物半导体材料已经受阻，科学家们正在使用3-5种金属合金来替代，其中InGaAs砷化镓半导体的名字很多人应该听过的。

日本学者开发的一种新型垂直晶体管技术

　　Nanotechweb报道称，位于日立札幌的北海道大学教授大友富冈及其团队使用新技术培植砷化镓纳米线（nanowires），然后利用这种纳米线以及多重壳纳米线（使用InGaAs/InP/InAlAs/InGaAs材料制成）做通道制造出了一种新的垂直晶体管。

　　根据他们发表在《自然》杂志上的论文所称，这种晶体管的漏电流只有现有晶体管的10-8，电子迁移率有7850 cm2/V· s，远远高于现有CMOS半导体场效应管，这意味着该技术可以用来制造复杂的高速芯片。

　　简单的技术介绍就这么多，与之前报道过的石墨烯电路可制造300GHz芯片的科学进展一样，大友教授开发的这种新型3D晶体管依然没有走出实验室，而Intel的3D晶体管已经大规模量产，前者的革命还没成功。