刁石京原本是国家工信部电子信息司司长，今年5月份转任紫光集团联席总裁，负责紫光集团旗下的芯片业务，除了长江存储等芯片制造业务之外，还有紫光展锐等半导体芯片设计等业务。上周末他在武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司表态称今年Q4季度紫光将量产32层堆栈的3D NAND闪存。

根据紫光公司之前的资料，长江存储的32层堆栈3D NAND闪存是该公司集合了1000多名员工、耗资10亿美元、历时2年研发成功的，这是国内存储芯片中水平最接近世界一流水平的了。但是从之前的公开资料来看，紫光的32层3D NAND闪存核心容量还是64Gb的，这跟目前256-512Gb核心容量的水平还有点距离，另外QLC闪存的核心容量已经走向1Tb以上了。

此外，刁石京还提到紫光目前正在研发64层堆栈的3D NAND闪存，预计明年量产。

对国内的存储芯片公司来说，技术积累还需要长期投入，前不久长江存储宣布了新型3D堆栈结构Xtacking，号称I/O接口速度达到了DDR4内存的水平，同时具有业界领先的存储密度，该技术将在今年8月7日的国际闪存会议FMS上公开。

我们也从长江存储方面了解到，这个Xtacking堆栈技术主要用于长江存储64层3D NAND闪存上面，不过具体的I/O接口速度做到多少将取决于市场需求。

2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预计投资240亿美元，分为三期建设，现在启动的是第一期，主要目标是生产3D NAND闪存，2018年将启动第二期建设，规划是上DRAM内存芯片，2019年启动第三期建设，主要目标是代工服务，产能也会越来越大，2020年目标是30万片晶圆/月，2030年则是100万片晶圆/月。

今年7月份的时候，紫光公司收购了新芯科技公司多数股份，成立了武汉长江存储科技有限公司（简称TRST），紫光公司控股一半多，董事长赵伟国也将担任长江科技公司的董事长，这个项目就变成了紫光公司主导了——当初收购美光的梦想无法实现，收购西数硬盘的事也黄了，不过紫光现在总算可以正式进军存储芯片领域了。

Digitimes援引业界消息称，长江存储公司最快2017年底正式推出3D NAND闪存，32层堆栈结构，也就是说明年我们就有可能看到真正国产的闪存芯片了。

新芯科技现在主要生产NOR闪存，而NAND闪存比NOR闪存技术难度要高，他们的技术来源是飞索半导体（Spansion）公司。考虑到与三星、Hynix、东芝、美光、Intel等公司的技术差距，国产3D NAND闪存32层堆栈的起点不低了，这几家公司研发多年，第一代3D闪存也不过是24层堆栈，32层堆栈的还算是主流，不过等到明年的时候，48层甚至64层堆栈的3D闪存恐怕也早就问世了。

根据之前的报道，新芯科技预计2018年推出48层堆栈的3D闪存，那时候虽然还是追不上最顶级的水平，不过差距应该会缩小很多，国产3D闪存还有追赶的机会。