据尔必达表示，采用25nm工艺开发的产品比现有30nm的体积更小，同样大小的晶圆可切割的芯片数量亦增加了45%，对降低产品成本有很大的帮助。同时新工艺内存颗粒的待机及运行电流更低，运行速度已达到了1866MHz，工作电压则有1.5V和1.35V两种。

DDR3-4Gbit.jpg">

　　尔必达还称，新的内存颗粒将在今年12月份开始量产并批量出货，至于对应的产品何时上市，就要看合作伙伴的安排了。

　　目前PM830系列固态硬盘已经向三星的OEM合作厂商出货，不久之后将正式进入零售市场，有兴趣的玩家不妨多多留意。

图片来源：[AnandTech]

其实早在5月底尔必达就已经开发完成25nm制造工艺，用这个工艺制造出来内存颗粒，在同样容量下体积是最小的，而且运行功耗比30nm的产品降低15%，待机功耗降低20%。这款内存颗粒的工作电压是1.5V，不过也有1.35V的低电压版。

　　其实这种情况不难理解，在两个版本的固态硬盘中，均采用了IMFT的25nm NAND闪存芯片，单颗容量为8GB。因此，120GB版的闪存颗粒数量只有240GB版的一半，往往这也意味着数据通道相比减少了一半，在性能上自然有较大差距。不过，OCZ决定扭转这种状况，他们为新款的120GB版 Vertex 3 Max IOPS固态硬盘更换了32nm的东芝闪存芯片，单颗容量也从原来的8GB下降为4GB，从而在芯片数和通道数上都与240GB版本持平，那么性能追上甚至超越240GB版就不再是什么问题了。

　　OCZ Vertex 3 MAX IOPS固态硬盘采用了SandForce SF-2281主控芯片，在IOPS性能上比普通版Vertex 3要有较大提升，目前其拥有120/240/480GB三款容量，售价为249.99/499.99/1799.99美元，同时享受三年质保。

　　消息来源：[AnandTech]

　　25nm制程DDR3 SDRAM内存芯片容量为2Gb，工作电压1.5V，规格为DDR3-1866，同时亦可在1.35V的电压下支持DDR3L-1600的工作模式。据尔必达称，比起当前30nm的产品，新制程的采用让DDR3 SDRAM内存芯片的储存单位面积下降了30%，工作电流和待机电流分别下降了15%和20%，同时产量上亦有30%的提升。

　　另外，尔必达还表示将于年底开启25nm 4Gb DDR3 SDRAM内存芯片的量产，相比于现有的30nm 4Gb产品，新制程产品的产能将获得44%的提升，而且他们还会将25nm制程应用在移动设备内存芯片当中。

　　尔必达官方网站

　　另外，根据OCZ方面表示，他们会尽快以全新产品为这些“中招”的用户进行替换。而目前出货的产品已经解决了这个问题，新购买的用户无须担心。即使不幸买到了尚未来得及回收的“问题硬盘”也无需担心，OCZ将承担免费更换的责任。

　　该系列固态硬盘提供64GB到512GB容量版本，4KB随机读写性能最高分别达40000 IOPS和50000 IOPS。根据美光官方数据，64GB/128GB/512GB版的读取速度最高均为415MB/s，而在写入方面则有差异，分别可达到95MB/s、175MB/s和260MB/s。

　　RealSSD C400系列固态硬盘现已登录北美网店SuperBiiz，其中64GB/128GB/512GB的售价分别为129.99美元/244.99美元/919.99美元，折合人民币约为854元/1610元/6045元。

　　另外该系列硬盘现也在香港发售，报价情况如下：64GB/128GB/256GB/512GB版的售价分别为1280港币/2150港币/4300港币/7999港币，折合人民币约为1078元/1811元/3622元/6738元，也就是说64GB/128GB/512GB版在北美和香港的差价大约为224元/201元/693元。

　　在日本秋叶原市场上，四种容量版的含税价格分别是13980日元/25980日元/49800日元/94800日元，折合人民币约为1140元/2118元/4060元/7729元。

　　但是，近期Intel对早前计划进行了修改，今年第四季度推出容量为120GB的X-25M系列，该产品仍旧采用34nm芯片和第二代处理器，性能也不会发生很大变化。

　　据悉，此次产品的延迟发布与生产能力有开关，去年当Intel X25-M G2发布，其出众的性能得到大众的青睐，长期处于供不应求的状态。也许Intel不想再重蹈覆辙，准备积蓄生产能力，在新产品发布前提高产品性能，并提供充足的货源满足市场要求。

　　虽然Intel的第三代SSD明年二月才可上市，但这也预示着产品的性能将得到提升，对于消费者而言也是一个好消息。

　　消息来源：[NordicHarware]