DRAM制造行业的制程更新要比做计算芯片的慢一些，镁光的1z纳米工艺是他们在10纳米节点的第三代工艺，在六月份美光第三季度的财报会议准备文件中，他们就已经将迈入1z纳米工艺作为下一个财年的重要事项写进去了。而同时他们实际进入1z纳米工艺的时间也比内部时间表要早那么一些。

对于DRAM来说，更新的工艺能够做出单片容量更加大的内存颗粒来，也更加的省电。而首批采用1z纳米工艺的产品将是美光新的16Gb容量的DDR4以及LPDDR4X内存颗粒，尤其是后者，对于目前移动端越来越大的内存大小和带宽的需求，容量越大、速度越高并且更加省电的内存颗粒是移动厂商们的最爱，美光的大容量LPDDR4X颗粒还正好赶上了Intel的IceLake处理器开始正式出货，而新的处理器加上了对于频率为3733MHz的LPDDR4X内存支持，在中高端轻薄笔记本市场上面，美光的新颗粒也有很大的市场了。

而对于大容量的DDR4颗粒来说，它们的用途多在制造大容量内存条上面，目前单条32GB的产品还没成为桌面端的主流，但是对于工作站和服务器来说，这种单条大容量的内存条是刚需。

在提供8x16Gb也就是16GB大小、最高频率可以达到4266MT/s的内存的同时，美光还提供了一种基于UFS的多芯片封装方式——uMCP4，它可以将NAND和DRAM整合在一个封装中，目前有64GB+3GB和256GB+8GB两种配置，这种封装可以减少存储芯片们所占据的位置。

由于台湾镁光科技拥有的圆晶厂桃园Fab 2在7月初遭受设备故障引起的污染事件，导致停产两周时间，DRAM供应更加紧张。不过在7月中旬恢复正常运行，据统计镁光损失了大约5万块DRAM圆晶，镁光目前正在尽最大努力提升圆晶产量，以弥补损失。

DRAMeXchange的研究还发现，零售需求远大于2017年DRAM市场的供应增长，今年的年平均供应增长率预计为19.5%，远低于前几年的25%年平均增长率。展望未来，移动设备仍然是全球DRAM的主要供应方向。尽管中国智能手机厂商已经下调了出货量，但苹果和三星将在今年下半年推出新iPhone和Galaxy Note手机，还有其他的高端手机将是DRAM需求的主要增长驱动力。

总体而言，TrendForce预计2017年下半年产能扩张能力非常有限，因此DRAM供应商将根据产品利润调整产品组合策略，通俗点说就是，别指望降价了。系统内存出现问题会导致电脑出现一系列的问题，比如开不了机等，小超哥（9501417）会根据你电脑的问题给你一个满意答复帮助你解决难题。

据外媒KITGURU报道，该款SSD采用镁光新型NAND闪存和希捷的SAS相关技术，2.5英寸大小，最大容量为4TB，支持SCSI双串行传输，高达1.8GB/s的连续读取速度和800MB/s的连续写入速度和高达210K IOPS随机读取等等。另外还包括了掉电保护，点对点数据保护和TCG企业加密等企业级SSD应有的功能。而根据不同的性能和寿命区分，有1DWPD、3DWPD、10DWPD和25DWPD的随机工作耐久性负载。

另外这款SSD有镁光S600DC系列和希捷S1200.2系列两种版本，但除开品牌和型号，其它方面是完全一样的，都采用了镁光NAND闪存颗粒，同样的主控、同样的固件甚至产地都一样。镁光和希捷将在今年8月通过各自的渠道合作伙伴出货。

　　此次固件更新内容只有三条，全是改进稳定性和兼容性的。

1.提升与某些SAS扩展和RAID卡的兼容性。

2.提高某些极端负载下数据吞吐的稳定性

3.增强某些意外情况下的数据保护能力。

　　如果你的M4 SSD遇到了问题，建议更新固件试试。

镁光M4固件升级页面

升级工具下载

000F固件下载

　　这款产品尺寸仅3*5cm大，采用的mSATA接口符合SATA 6Gbps规范，容量从32GB到256GB不等，与C400系列一样用的是Marvell 88SS9174-BLD2主控和镁光自家的25nm MLC闪存，SSD的具体规格入下图所示，基本上性能与同容量的C400系列相同。

　　目前mSATA接口的C400 SSD只会供给OEM客户，晚些时候会用Crucial品牌推向消费市场。

　　截至2012年3月，镁光共持有价值21亿美元的现金和短期投资，这么看来彩礼钱还是足够的，不过镁光自己的日子并不好过，受大环境影响，从2010年以来公司的季度财报日益恶化，最近几个季度营收21亿美元，但亏损2.24亿美元。

　　镁光CEO Mark Durcan称，虽然公司期待DRAM价格复苏，但是就算公司能够卖出更多的NAND和DRAM产品，日益降低的平均售价也拉低了公司收入。（通过收购获得）更高的产能以及降低成本是公司避免在未来市场遭到淘汰的主要途径之一。

　　近来镁光已经有过类似举动，比如购买Intel、镁光合资公司的更多股份，这都有助于提高镁光公司的产能和竞争力。

· 包含了两个多月前发布的002固件的更新，M4 SSD可以从001版固件直接升级到009· 提升了数据吞吐性能· 提高了PCMark Vanatge测试分数，进而可以提升用户在大多数操作系统中的体验· 改进了大量写入负载中的写入延迟，写入性能有所提高· 启动速度加快· 提高了与新的芯片组的兼容性· 某些SATA II芯片组与SATA III设备之间的SATA速度转换问题得到补偿· 改进了某些特殊主机系统中冷启动时间歇性失败的问题

　　 从更新内容来看，这次固件更新主要是BUG改进和性能提升，推荐升级。镁光的下载地址可点击下面的连接，读者可以根据自己的SSD型号选择对应固件更新。

M4固件升级地址

　　两款内存的规格均为DDR3-1333@CL=9">DDR3-1333@CL=9，其中台式机用产品默认电压为1.5V，笔记本电脑用产品则为1.35V。Crucial DRAM部门产品经理Michael Moreland表示，他们之所以推出单条8GB容量的内存产品，是因为现在软件对内存容量的要求越来越大，大容量内存不仅仅是服务器需要，不少家庭用户也已经有此需求了。

　　目前这两款内存已经在美国地区上市，提供有双通道和三通道套装，并享受终身质保服务。

更新说明：

1、Added margin to already-passing electromagnetic interference regulatory tests. Provides additional EMI margin for systems integrators. （为已经通过电磁干扰测试的SSD增加了余量，可以为系统集成商提供额外的电磁干扰冗余。)

2、Improved performance with Link Power Management. Resolves performance pauses and hesitations with certain host systems. （提升了LPM的性能，解决了在某些系统中卡顿和延迟的问题。）

　　3、This is a recommended but not required firmware update. If the end user is experiencing pauses or hesitations in systems with Link Power Management ("LPM") enabled, then this update is highly recommended. （这个固件更新并不是必须的，如果你没有遇到因为LPM问题导致的卡顿，不需要更新此固件。）

下载地址

　　除了性能强大之外，P320h还专门为企业用户打造了RAIN独立闪存冗余阵列技术，跟RAID 7的技术差不多，可以把单个存储器分割成多个独立的单元，有自己的读写通道，效率自然也相当高。

　　如此高端的产品，价格自然也相当高端，据业内估计，P320h的价格将高达上万美元。

　　第一季度镁光存储芯片业务毛利率为26%，低于上一季度的37%，这主要受产品平均价格下滑的影响，但由于生产成本有所下降，影响有所抵消。镁光科技表示，NADN闪存芯片价格呈下降趋势，人们对平板电脑、智能手机等专用芯片的需求将好转。

　　更多相关消息，请参阅镁光官方新闻稿。

　　据悉，在2002年调查记忆芯片产业操控价格案中，世界五个顶级DRAM芯片制造商因垄断市场价格而受到控诉并做了罚款处理，但是镁光因与司法部私下和解而得到赦免。另外，在2007年，镁光支付8000万美元来化解一宗发生于1999-2002年间的反垄断诉讼案。

　　韩国芯片制造商半导体代理律师Michael Tubach表示：“Sun微系统之前曾起诉了许多DRAM芯片供应商，但对镁光是现在才起诉。”对于此次控诉，甲骨文发言人Deborah Hellinger回应：“我们也想友好解决这个问题，但是我们更想在这次起诉中挽回一些损失的资金。”

　　如果起诉成立，甲骨文将会得到一笔价值不菲的赔偿金，根据加州反垄断法，甲骨文可求偿三倍损赔金额。

　　消息来源：[Itnews]

　　RealSSD P300现在可以少量提供测试用样品，正式大量供货还需要等到10月，据官方消息共有50GB、100GB和200GB三种容量和供选择。

　　更多消息请留意镁光官方网站