三星计划2024Q2开始量产HBM3E 12H DRAM，以及1βnm 32Gb DDR5产品

近日，三星公布了截至2024年3月31日的第一季度财报。显示其存储器业务通过满足高附加值产品的市场需求终于实现了盈利，带动了整个DS部门的营收和利润增长，让半导体业务自2022年以来的首次恢复盈利。

三星在财报中表示，其专注于HBM、DDR5、服务器SSD和UFS 4.0等高附加值产品，伴随产品的平均售价（ASP）提升，从而实现了业务的增长。在接下来的第二季度里，服务器和存储方面对人工智能（AI）的需求将保持稳定，主要受到生成式AI的驱动，而对DDR5及高密度SSD的需求仍然强劲，同时中国的移动设备制造商对DRAM和NAND闪存的需求也很高。

三星已经在本月量产了HBM3E 8H DRAM，以及第9代V-NAND技术的产品，并计划在第二季度内量产HBM3E 12H DRAM和基于1β (b) nm（第五代10nm级别）32Gb DDR5打造的128GB DRAM产品，比原计划里的下半年提前了。按照三星的说法，这是为了更好地应对生成式AI日益增长的需求，所以选择加快了HBM和1β (b) nm 32Gb DDR5的项目进度。

近期企业级QLC SSD的需求攀升，而目前市场上可以提供经验证的企业级QLC产品的厂家只有Solidigm和三星。为此三星已确认，第三季度会量产QLC版本的第9代V-NAND产品，以尽可能地满足企业用户的使用需求。

不少人还关心三星的晶圆代工业务，但三星称，由于市场需求疲软和持续的库存调整，复苏的速度相对比较迟缓。不过三星表示，目前晶圆厂的运营效率已经有所提升，新一代2/3nm制程工艺的开发也较为顺利，另外4nm制程工艺的良品率已日趋稳定。

三星计划下半年量产第二代3nm制程工艺，也就是SF3，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，之前已在试产。